以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 5A（Tc） 模具
  
  型号：IXTD5N100A
  仓库库存编号：IXTD5N100A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600V 68A（Tc） TO-268
  
  型号：IXKT70N60C5
  仓库库存编号：IXKT70N60C5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 25A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR25N90
  仓库库存编号：IXFR25N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR75N10Q
  仓库库存编号：IXFR75N10Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 36A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN36N50
  仓库库存编号：IXTN36N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000M
  仓库库存编号：HCT7000M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 55A（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL55N50
  仓库库存编号：IXFL55N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N90Q
  仓库库存编号：IXFR24N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 250A 730W SOT-227B
  
  型号：IXTE250N10
  仓库库存编号：IXTE250N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR90N20Q
  仓库库存编号：IXFR90N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 108A（Tc） 24-SMPD
  
  型号：MMIX1F210N30P3
  仓库库存编号：MMIX1F210N30P3-ND
  别名：Q7717170
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1.2KV 20A
  详细描述：通孔 1200V 20A（Tc） 282W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA20JT12-247
  仓库库存编号：1242-1188-ND
  别名：1242-1188
  GA20JT12247
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTX
  仓库库存编号：HCT7000MTX-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660
  仓库库存编号：2N6660-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 250V 120A SOT-227B
  
  型号：IXFN120N25
  仓库库存编号：IXFN120N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN23N100
  仓库库存编号：IXFN23N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 300mW（Ta） 3-SMD
  
  型号：HCT7000MTXV
  仓库库存编号：HCT7000MTXV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
  
  型号：HCT802
  仓库库存编号：HCT802-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 24A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN24N90Q
  仓库库存编号：IXFN24N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：MKE38P600LB-TRR
  仓库库存编号：MKE38P600LB-TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：MKE38P600LB
  仓库库存编号：MKE38P600LB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 85A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN79N20
  仓库库存编号：IXTN79N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 45A TO247
  详细描述：通孔 1200V 45A（Tc） 282W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA20SICP12-247
  仓库库存编号：GA20SICP12-247-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 109A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 109A（Tc） 480W（Tc） SP1
  
  型号：APTML20UM18R010T1AG
  仓库库存编号：APTML20UM18R010T1AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 154A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 154A（Tc） 480W（Tc） SP1
  
  型号：APTML10UM09R004T1AG
  仓库库存编号：APTML10UM09R004T1AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 
  
  无铅
• 搜索