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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 60A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ60N30T
  仓库库存编号：IXTQ60N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ98N20T
  仓库库存编号：IXTQ98N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
  
  型号：ALD1101APAL
  仓库库存编号：1014-1000-ND
  别名：1014-1000
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 120A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH120N15T
  仓库库存编号：IXTH120N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N30T
  仓库库存编号：IXTH60N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 98A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH98N20T
  仓库库存编号：IXTH98N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 100V 10A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA5037
  仓库库存编号：SLA5037-ND
  别名：SLA5037 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Fairchild/Micross Components
  DIE MOSFET P-CH 100V
  详细描述：表面贴装 模具
  
  型号：PCFQ5P10W
  仓库库存编号：PCFQ5P10W-DIE-ND
  别名：FCPCFQ5P10W
  FCPCFQ5P10W-ND
  PCFQ5P10W-DIE
  PCFQ5P10W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ102N25T
  仓库库存编号：IXTQ102N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ72N30T
  仓库库存编号：IXTQ72N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 330V 30A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 85W（Tc） TO-3P
  
  型号：FKP330C
  仓库库存编号：FKP330C-ND
  别名：FKP330C DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 250V 7A 4W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SMA5112
  仓库库存编号：SMA5112-ND
  别名：SMA5112 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  不受无铅要求限制
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  MOSFET N-CH 250V 102A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH102N25T
  仓库库存编号：IXTH102N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 72A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH72N30T
  仓库库存编号：IXTH72N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1317-E
  仓库库存编号：2SK1317-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 200V 10A 5W Through Hole 12-SIP
  
  型号：SLA5041
  仓库库存编号：SLA5041-ND
  别名：SLA5041 DK
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV120N15T
  仓库库存编号：IXTV120N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV60N30T
  仓库库存编号：IXTV60N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV98N20T
  仓库库存编号：IXTV98N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV102N25T
  仓库库存编号：IXTV102N25T-ND
  
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  MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV130N15T
  仓库库存编号：IXTV130N15T-ND
  
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  MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV72N30T
  仓库库存编号：IXTV72N30T-ND
  
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  MOSFET P-CH 100V 36A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT36P10
  仓库库存编号：IXTT36P10-ND
  
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  MOSFET P-CH 200V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT16P20
  仓库库存编号：IXTT16P20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 5A
  详细描述：通孔 5A（Tc） 106W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA05JT12-247
  仓库库存编号：1242-1185-ND
  别名：1242-1185
  GA05JT12247
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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