产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Through Hole 8-PDIP
型号:
ALD1110EPAL
仓库库存编号:
ALD1110EPAL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Surface Mount 8-SOIC
型号:
ALD1110ESAL
仓库库存编号:
ALD1110ESAL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
型号:
ALD110808ASCL
仓库库存编号:
1014-1025-ND
别名:1014-1025
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
型号:
ALD1101BPAL
仓库库存编号:
ALD1101BPAL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
型号:
ALD1102BPAL
仓库库存编号:
ALD1102BPAL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 8-SOIC
型号:
ALD1102BSAL
仓库库存编号:
1014-1256-ND
别名:1014-1256
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 40mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
型号:
ALD1101BSAL
仓库库存编号:
1014-1217-ND
别名:1014-1217
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 54A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 54A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP54N30T
仓库库存编号:
IXTP54N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 44A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ44N30T
仓库库存编号:
IXTQ44N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ62N25T
仓库库存编号:
IXTQ62N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ72N20T
仓库库存编号:
IXTQ72N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 16-PDIP
型号:
ALD210808APCL
仓库库存编号:
ALD210808APCL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
型号:
ALD210808ASCL
仓库库存编号:
ALD210808ASCL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
型号:
ALD114804ASCL
仓库库存编号:
1014-1054-ND
别名:1014-1054
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 44A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH44N30T
仓库库存编号:
IXTH44N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 62A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH62N25T
仓库库存编号:
IXTH62N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 72A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH72N20T
仓库库存编号:
IXTH72N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Sanken
MOSFET N-CH 280V 40A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Ta) 85W(Tc) TO-3PF
型号:
FKP280A
仓库库存编号:
FKP280A-ND
别名:FKP280A DK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Sanken
MOSFET N-CH 300V 30A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Ta) 85W(Tc) TO-3PF
型号:
FKP300A
仓库库存编号:
FKP300A-ND
别名:FKP300A DK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 250V 50A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Ta) 85W(Tc) TO-3P
型号:
FKP250A
仓库库存编号:
FKP250A-ND
别名:FKP250A DK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP02N50D
仓库库存编号:
IXTP02N50D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 54A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 54A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ54N30T
仓库库存编号:
IXTQ54N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 54A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 54A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH54N30T
仓库库存编号:
IXTH54N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 86A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 86A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH86N20T
仓库库存编号:
IXTH86N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 500V Surface Mount 8-SOIC
型号:
TC1550TG-G
仓库库存编号:
TC1550TG-G-ND
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