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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN1206L-G-P002
  仓库库存编号：VN1206L-G-P002-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 50V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：EKV550
  仓库库存编号：EKV550-ND
  别名：EKV550 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 50A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU50N085T
  仓库库存编号：IXTU50N085T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 75V 55A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU55N075T
  仓库库存编号：IXTU55N075T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 55V 64A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU64N055T
  仓库库存编号：IXTU64N055T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Monolithic Power Systems Inc.
  MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
  详细描述：Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W Through Hole 8-PDIP
  
  型号：LN60A01EP-LF
  仓库库存编号：LN60A01EP-LF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU01N100D
  仓库库存编号：IXTU01N100D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU02N50D
  仓库库存编号：IXTU02N50D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 54mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0550N3-G-P013
  仓库库存编号：VP0550N3-G-P013-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 200V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK3003
  仓库库存编号：2SK3003-ND
  别名：2SK3003 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 60V TO220S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Ta） 100W（Tc） TO-220S
  
  型号：2SK3710
  仓库库存编号：2SK3710-ND
  别名：2SK3710 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKV550T
  仓库库存编号：FKV550T-ND
  别名：FKV550T DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKP252
  仓库库存编号：FKP252-ND
  别名：FKP252 DK
  
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 16.5V 0.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Tj） 1.5W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：LP0701LG-G
  仓库库存编号：LP0701LG-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Tj） 1.3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：TN2640LG-G
  仓库库存编号：TN2640LG-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 250V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK3004
  仓库库存编号：2SK3004-ND
  别名：2SK3004 DK
  
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  MOSFET N-CH 200V 15A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY15N20T
  仓库库存编号：IXTY15N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 150V 24A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY24N15T
  仓库库存编号：IXTY24N15T-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
  详细描述：MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
  
  型号：TK35E10K3(S1SS-Q)
  仓库库存编号：TK35E10K3(S1SS-Q)-ND
  别名：TK35E10K3S1SSQ
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A45DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A45DA(STA4QM)-ND
  别名：TK8A45DA(STA4QM)
  TK8A45DASTA4QM
  
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• Microchip Technology
  MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel 200V Surface Mount 12-DFN (4x4)
  
  型号：TC7920K6-G
  仓库库存编号：TC7920K6-G-ND
  
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  MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：TP2640LG-G
  仓库库存编号：TP2640LG-G-ND
  
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  MOSFET N-CH 450V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK2701A
  仓库库存编号：2SK2701A-ND
  别名：2SK2701A DK
  
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  MOSFET N-CH 200V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP15N20T
  仓库库存编号：IXTP15N20T-ND
  
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  MOSFET N-CH 150V 24A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP24N15T
  仓库库存编号：IXTP24N15T-ND
  
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