产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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分立半导体产品
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 450mA(Ta) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0104N3-G-P014
仓库库存编号:
TN0104N3-G-P014-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0110N3-G-P002
仓库库存编号:
TN0110N3-G-P002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 190mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410L-G-P013
仓库库存编号:
VN2410L-G-P013-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 190mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410L-G-P014
仓库库存编号:
VN2410L-G-P014-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK
详细描述:MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK
型号:
ATP404-H-TL-H
仓库库存编号:
ATP404-H-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 450V 90mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN0545ASTZ
仓库库存编号:
ZVN0545ASTZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 8-SOIC
型号:
RRS100P03TB1
仓库库存编号:
RRS100P03TB1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL
详细描述:MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL
型号:
NTMFD4C50NT3G
仓库库存编号:
NTMFD4C50NT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0610N3-G-P003
仓库库存编号:
TN0610N3-G-P003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0610N3-G-P013
仓库库存编号:
TN0610N3-G-P013-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 890mA(Tj) 1.6W(Tc) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN2504N8-G
仓库库存编号:
TN2504N8-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 700mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
TN0604N3-G-P005
仓库库存编号:
TN0604N3-G-P005-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 700mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
TN0604N3-G-P013
仓库库存编号:
TN0604N3-G-P013-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8-SO
型号:
SI4413CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4413CDY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4413CDY-T1-GE3TR
SI4413CDYT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7606-55A,118
仓库库存编号:
BUK7606-55A,118-ND
别名:934055413118
BUK7606-55A /T3
BUK7606-55A /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSH140N03TB1
仓库库存编号:
RSH140N03TB1CT-ND
别名:RSH140N03TB1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 6A(Ta) 65W(Tc) MP-3A
型号:
RJK5033DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK5033DPD-00#J2TR-ND
别名:RJK5033DPD-00#J2-ND
RJK5033DPD-00#J2TR
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.25A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 250mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
VN2450N8-G
仓库库存编号:
VN2450N8-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL
详细描述:MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL
型号:
NTMFD4C50NT1G
仓库库存编号:
NTMFD4C50NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18V 400mA(Tj) 1.6W(Tc) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN2501N8-G
仓库库存编号:
TN2501N8-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 640mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0300L-G-P002
仓库库存编号:
VN0300L-G-P002-ND
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Monolithic Power Systems Inc.
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC
型号:
LN60A01ES-LF
仓库库存编号:
LN60A01ES-LF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 480mA(Tj) 1.6W(Tc) SOT-89-3
型号:
TN2425N8-G
仓库库存编号:
TN2425N8-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 630mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TP2502N8-G
仓库库存编号:
TP2502N8-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 330mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0606L-G-P003
仓库库存编号:
VN0606L-G-P003-ND
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