产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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分立半导体产品
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW27NM60ND
仓库库存编号:
497-10086-5-ND
别名:497-10086-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.2A CST3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 100mW(Ta) CST3
型号:
SSM3K37CT,L3F
仓库库存编号:
SSM3K37CTL3F-ND
别名:SSM3K37CT,L3F(B
SSM3K37CT,L3F(T
SSM3K37CTL3F
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 180MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 180mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002AQ-13
仓库库存编号:
2N7002AQ-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23
详细描述:MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23
型号:
MMBFV170LT3G
仓库库存编号:
MMBFV170LT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59
型号:
SSM3K7002BF,LF
仓库库存编号:
SSM3K7002BFLFCT-ND
别名:SSM3K7002BFLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 300mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138Q-7-F
仓库库存编号:
BSS138Q-7-FDI-ND
别名:BSS138Q-7-FDI
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BVSS123LT1G
仓库库存编号:
BVSS123LT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 180MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 180mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002AQ-7
仓库库存编号:
2N7002AQ-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) SSSMini3-F2-B
型号:
FJ3303010L
仓库库存编号:
FJ3303010L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 0.154A SC75-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 154mA(Tj) 300mW(Tj) SC-75
型号:
NVTA7002NT1G
仓库库存编号:
NVTA7002NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Ta) 430mW(Ta) X1-DFN1006-3
型号:
DMN65D8LFB-7
仓库库存编号:
DMN65D8LFB-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 125mW(Ta) SS迷你型3-F3-B
型号:
FK3906010L
仓库库存编号:
FK3906010L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) CST3
型号:
SSM3K16CT(TPL3)
仓库库存编号:
SSM3K16CT(TPL3)CT-ND
别名:SSM3K16CT(TPL3)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN601WKQ-13
仓库库存编号:
DMN601WKQ-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 350mW(Tc) SOT-23
型号:
SI3420-TP
仓库库存编号:
SI3420-TP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3
型号:
RUE002N05TL
仓库库存编号:
RUE002N05TL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 250mA 150mW Surface Mount ES6
型号:
SSM6N37FE,LM(T
仓库库存编号:
SSM6N37FELM(TCT-ND
别名:SSM6N37FELM(TCT
SSM6N37FELMCT
SSM6N37FELMCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V SC75
详细描述:表面贴装 N 沟道 238mA(Tj) 300mW(Tj) SC-75,SOT-416
型号:
NVA4001NT1G
仓库库存编号:
NVA4001NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 115MA SOT523
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 150mW(Ta) SOT-523
型号:
2N7002TQ-7-F
仓库库存编号:
2N7002TQ-7-F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) CST3
型号:
SSM3K15CT(TPL3)
仓库库存编号:
SSM3K15CT(TPL3)CT-ND
别名:SSM3K15CT(TPL3)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6
型号:
SSM6P35FE,LM
仓库库存编号:
SSM6P35FELM-ND
别名:SSM6P35FE,LM(B
SSM6P35FE,LM(T
SSM6P35FELM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount US6
型号:
SSM6N7002BFU,LF
仓库库存编号:
SSM6N7002BFULFCT-ND
别名:SSM6N7002BFULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
详细描述:MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
型号:
NVTE4151PT1G
仓库库存编号:
NVTE4151PT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 540mW(Ta) WSSMini6-F1
型号:
MTM861270LBF
仓库库存编号:
MTM861270LBFCT-ND
别名:MTM861270LBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A XLLGA6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 200mA 125mW Surface Mount 6-XLLGA (.90x.65)
型号:
NTND31015NZTAG
仓库库存编号:
NTND31015NZTAG-ND
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