产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 16-PDIP
型号:
ALD110814PCL
仓库库存编号:
1014-1028-ND
别名:1014-1028
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
型号:
ALD110804SCL
仓库库存编号:
1014-1023-ND
别名:1014-1023
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 16-PDIP
型号:
ALD110804PCL
仓库库存编号:
1014-1022-ND
别名:1014-1022
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 16-SOIC
型号:
ALD110800ASCL
仓库库存编号:
1014-1017-ND
别名:1014-1017
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 16-PDIP
型号:
ALD110808APCL
仓库库存编号:
1014-1024-ND
别名:1014-1024
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
型号:
ALD210800ASCL
仓库库存编号:
1014-1214-ND
别名:1014-1214
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 16-PDIP
型号:
ALD114804APCL
仓库库存编号:
1014-1053-ND
别名:1014-1053
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
型号:
ALD1102APAL
仓库库存编号:
1014-1004-ND
别名:1014-1004
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 51W(Tc) DPAK
型号:
BUK7277-55A,118
仓库库存编号:
1727-7160-1-ND
别名:1727-7160-1
568-9643-1
568-9643-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC
详细描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC
型号:
STS7N3LLH6
仓库库存编号:
STS7N3LLH6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 50W(Tc) D2PAK
型号:
STB25NF06AG
仓库库存编号:
STB25NF06AG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V D2PAK
详细描述:MOSFET N-CH 650V D2PAK
型号:
STB6N65K3
仓库库存编号:
STB6N65K3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 52A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 70W(Tc) TO-220
型号:
STP52P3LLH6
仓库库存编号:
STP52P3LLH6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 168W(Tc) TO-220
型号:
STP140N4F6
仓库库存编号:
STP140N4F6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 168W(Tc) D2PAK
型号:
STB140N4F6
仓库库存编号:
STB140N4F6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 205W(Tc) TO-220
型号:
STP130N8F7
仓库库存编号:
STP130N8F7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP180N4F6
仓库库存编号:
STP180N4F6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK
型号:
STB120N10F4
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STB120N10F4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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MOSFET N-CH 680V TO-220FP
详细描述:MOSFET N-CH 680V TO-220FP
型号:
STF6N68K3
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STF6N68K3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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MOSFET N-CH 600V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP20N60M2-EP
仓库库存编号:
STP20N60M2-EP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB20N60M2-EP
仓库库存编号:
STB20N60M2-EP-ND
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MOSFET N-CH 100V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP185N10F3
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STP185N10F3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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MOSFET N-CH 600V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 169W(Tc) TO-220
型号:
STP26N60M2
仓库库存编号:
STP26N60M2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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MOSFET N-CH 40V 180A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 365W(Tc) TO-220
型号:
STP410N4F7AG
仓库库存编号:
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MOSFET N-CH 650V TO-220FP
详细描述:MOSFET N-CH 650V TO-220FP
型号:
STF12NM65
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