产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJD1155LT1G
仓库库存编号:
NTJD1155LT1GOSCT-ND
别名:NTJD1155LT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
详细描述:表面贴装 P 沟道 430mA(Ta) 150mW(Ta) SOT-523
型号:
DMP22D6UT-7
仓库库存编号:
DMP22D6UTDICT-ND
别名:DMP22D6UTDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3K2615R,LF
仓库库存编号:
SSM3K2615RLFCT-ND
别名:SSM3K2615RLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK98180-100A/CUX
仓库库存编号:
1727-2225-1-ND
别名:1727-2225-1
568-12493-1
568-12493-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) TO-236
型号:
2N7002-T1-E3
仓库库存编号:
2N7002-T1-E3CT-ND
别名:2N7002-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET ARRAY 2NCH 20V SOT963
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 220mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount SOT-963
型号:
NTUD3174NZT5G
仓库库存编号:
NTUD3174NZT5GOSCT-ND
别名:NTUD3174NZT5GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta),10.7A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BUK9840-55/CUX
仓库库存编号:
1727-2227-1-ND
别名:1727-2227-1
568-12495-1
568-12495-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 710mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN2106GTA
仓库库存编号:
ZVN2106GCT-ND
别名:ZVN2106G
ZVN2106GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN2110GTA
仓库库存编号:
ZVN2110GCT-ND
别名:ZVN2110G
ZVN2110GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1.2KV 10A
详细描述:通孔 10A(Tc) 170W(Tc) TO-247AB
型号:
GA10JT12-247
仓库库存编号:
1242-1187-ND
别名:1242-1187
GA10JT12247
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
详细描述:表面贴装 P 沟道 430mA(Ta) 150mW(Ta) SOT-523
型号:
DMP2004TK-7
仓库库存编号:
DMP2004TKDICT-ND
别名:DMP2004TKDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A Surface Mount TSMT8
型号:
QS8M11TCR
仓库库存编号:
QS8M11TCRCT-ND
别名:QS8M11TCRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 1.5W(Ta) SOT-89-3
型号:
ZVP4424ZTA
仓库库存编号:
ZVP4424ZTACT-ND
别名:ZVP4424ZTACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
型号:
ALD110914SAL
仓库库存编号:
1014-1043-ND
别名:1014-1043
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 16-PDIP
型号:
ALD110800PCL
仓库库存编号:
1014-1018-ND
别名:1014-1018
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
型号:
ALD110908ASAL
仓库库存编号:
1014-1039-ND
别名:1014-1039
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP
型号:
ALD212900APAL
仓库库存编号:
1014-1215-ND
别名:1014-1215
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
型号:
ALD1102PAL
仓库库存编号:
1014-1006-ND
别名:1014-1006
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) VML1006
型号:
RV2C001ZPT2L
仓库库存编号:
RV2C001ZPT2LCT-ND
别名:RV2C001ZPT2LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Tc) 2.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA425EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA425EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA425EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 400V SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 1.1W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3909CTR
仓库库存编号:
CLA4161-1-ND
别名:CLA4161-1
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.9A 1W Surface Mount 6-Micro Foot?
型号:
SI8902EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8902EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8902EDB-T2-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
型号:
ALD111933PAL
仓库库存编号:
1014-1051-ND
别名:1014-1051
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 16-SOIC
型号:
ALD110800SCL
仓库库存编号:
1014-1019-ND
别名:1014-1019
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
型号:
ALD110902PAL
仓库库存编号:
1014-1034-ND
别名:1014-1034
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