产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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分立半导体产品
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 120mA(Tj) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
VP2110K1-G
仓库库存编号:
VP2110K1-GCT-ND
别名:VP2110K1-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 350MA 3DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Tj) 2.5W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DN2450K4-G
仓库库存编号:
DN2450K4-GCT-ND
别名:DN2450K4-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59-3
型号:
2SK2009TE85LF
仓库库存编号:
2SK2009TE85LFCT-ND
别名:2SK2009TE85LFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1W(Ta),2.7W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8473EDB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8473EDB-T1-E1CT-ND
别名:SI8473EDB-T1-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN1509N8-G
仓库库存编号:
DN1509N8-GCT-ND
别名:DN1509N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVP2120GTA
仓库库存编号:
ZVP2120GCT-ND
别名:ZVP2120GCT
ZVP2120GTA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN4206AVSTZ
仓库库存编号:
ZVN4206AVSCT-ND
别名:ZVN4206AVSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 250V SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8W(Tc) SOT-223
型号:
CPC3902ZTR
仓库库存编号:
CLA4156-1-ND
别名:CLA4156-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 320mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN2120GTA
仓库库存编号:
ZVN2120GCT-ND
别名:ZVN2120G
ZVN2120GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 6-WLCSP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 900mW Surface Mount 6-WLCSP
型号:
FDZ1905PZ
仓库库存编号:
FDZ1905PZCT-ND
别名:FDZ1905PZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 280mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVP2106ASTZ
仓库库存编号:
ZVP2106ASCT-ND
别名:ZVP2106ASCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Torex Semiconductor Ltd
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT89
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 2W(Ta) SOT-89
型号:
XP162A12A6PR-G
仓库库存编号:
893-1236-1-ND
别名:893-1236-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 730mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN2510N8-G
仓库库存编号:
TN2510N8-GCT-ND
别名:TN2510N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 400V SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 2.5W(Ta) SOT-223
型号:
CPC3909ZTR
仓库库存编号:
CLA4157-1-ND
别名:CLA4157-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 480mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TP2510N8-G
仓库库存编号:
TP2510N8-GCT-ND
别名:TP2510N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta) 3W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN4306GVTA
仓库库存编号:
ZVN4306GVCT-ND
别名:ZVN4306GV
ZVN4306GVCT
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
详细描述:表面贴装
型号:
STL9N65M2
仓库库存编号:
497-15056-1-ND
别名:497-15056-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
详细描述:表面贴装 N 沟道
型号:
STL8N65M2
仓库库存编号:
497-15055-1-ND
别名:497-15055-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 600V 3A TO-220D
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220D-A1
型号:
2SK3048
仓库库存编号:
2SK3048-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 450V 5A TO-220D
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220D-A1
型号:
2SK3043
仓库库存编号:
2SK3043-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD6N90K5
仓库库存编号:
497-17072-1-ND
别名:497-17072-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 272W(Tc) TO-220-5
型号:
BUK9907-40ATC,127
仓库库存编号:
1727-7228-ND
别名:1727-7228
568-9750-5
568-9750-5-ND
934056980127
BUK9907-40ATC
BUK9907-40ATC,127-ND
BUK9907-40ATC-ND
BUK990740ATC127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD7N90K5
仓库库存编号:
497-17079-1-ND
别名:497-17079-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 500V 7A TO-220D
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220D-A1
型号:
2SK3046
仓库库存编号:
2SK3046-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A 1.6W Surface Mount 8-SOP
型号:
DI9942T
仓库库存编号:
DI9942CT-ND
别名:DI9942
DI9942CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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