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• Advanced Linear Devices Inc.
  QUAD P-CHANNEL EPAD MATCHED PAIR
  详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel, Matched Pair 8V 500mW Through Hole 16-PDIP
  
  型号：ALD310702APCL
  仓库库存编号：1014-1288-ND
  别名：1014-1288
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Advanced Linear Devices Inc.
  QUAD P-CHANNEL EPAD MATCHED PAIR
  详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel, Matched Pair 8V 500mW Through Hole 16-PDIP
  
  型号：ALD310704APCL
  仓库库存编号：1014-1292-ND
  别名：1014-1292
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Advanced Linear Devices Inc.
  QUAD P-CHANNEL EPAD MATCHED PAIR
  详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel, Matched Pair 8V 500mW Through Hole 16-PDIP
  
  型号：ALD310708APCL
  仓库库存编号：1014-1296-ND
  别名：1014-1296
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Advanced Linear Devices Inc.
  QUAD P-CHANNEL EPAD MATCHED PAIR
  详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel, Matched Pair 8V 500mW Through Hole 16-PDIP
  
  型号：ALD310700APCL
  仓库库存编号：1014-1284-ND
  别名：1014-1284
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1C002UNTCL
  仓库库存编号：RE1C002UNTCLCT-ND
  别名：RE1C002UNTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1J002YNTCL
  仓库库存编号：RU1J002YNTCLCT-ND
  别名：RU1J002YNTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V .2A USM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） USM
  
  型号：SSM3K7002BSU,LF
  仓库库存编号：SSM3K7002BSULFCT-ND
  别名：SSM3K7002BFU(T5LFCT
  SSM3K7002BFU(T5LFCT-ND
  SSM3K7002BSULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） S-Mini
  
  型号：SSM3K7002BS,LF
  仓库库存编号：SSM3K7002BSLFCT-ND
  别名：SSM3K7002BF(T5LF)CT
  SSM3K7002BF(T5LF)CT-ND
  SSM3K7002BSLF(DCT
  SSM3K7002BSLF(DCT-ND
  SSM3K7002BSLFCT
  SSM3K7002F(TE85LFCT
  SSM3K7002F(TE85LFCT-ND
  SSM3K7002FCT
  SSM3K7002FCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-523
  
  型号：DMN26D0UT-7
  仓库库存编号：DMN26D0UT-7DICT-ND
  别名：DMN26D0UT-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  2.5V DRIVE NCH MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 150W（Tc） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1L002SNTL
  仓库库存编号：RE1L002SNTLCT-ND
  别名：RE1L002SNTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1C002UNTCL
  仓库库存编号：RU1C002UNTCLCT-ND
  别名：RU1C002UNTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 180mA（Ta） 470mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
  
  型号：DMP58D0LFB-7
  仓库库存编号：DMP58D0LFB-7DICT-ND
  别名：DMP58D0LFB-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 305mA 400mW Surface Mount SOT-26
  
  型号：DMN5L06DMK-7
  仓库库存编号：DMN5L06DMKDICT-ND
  别名：DMN5L06DMKDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） TO-236
  
  型号：2N7002-T1-GE3
  仓库库存编号：2N7002-T1-GE3CT-ND
  别名：2N7002-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6L35FU(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM6L35FU(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM6L35FU(TE85LF)CT
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
  
  型号：DMN5L06TK-7
  仓库库存编号：DMN5L06TKDICT-ND
  别名：DMN5L06TKDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 200mW（Ta） USV
  
  型号：SSM5N16FUTE85LF
  仓库库存编号：SSM5N16FUTE85LFCT-ND
  别名：SSM5N16FUTE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3K35MFV(TPL3)
  仓库库存编号：SSM3K35MFV(TPL3)CT-ND
  别名：SSM3K35MFV(TPL3)CT
  
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） S迷你型3-F2
  
  型号：2SK3064G0L
  仓库库存编号：2SK3064G0LCT-ND
  别名：2SK3064G0LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 900mW（Ta） SOT-26
  
  型号：DMN3115UDM-7
  仓库库存编号：DMN3115UDMDICT-ND
  别名：DMN3115UDMDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
  
  型号：MTM761230LBF
  仓库库存编号：MTM761230LBFCT-ND
  别名：MTM761230LBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 400mA, 200mA 300mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6L09FUTE85LF
  仓库库存编号：SSM6L09FUTE85LFCT-ND
  别名：SSM6L09FUTE85LFCT
  
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RTE002P02TL
  仓库库存编号：RTE002P02TLCT-ND
  别名：RTE002P02TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006
  详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Ta） 400mW（Ta） DFN1006-3
  
  型号：RV2C014BCT2CL
  仓库库存编号：RV2C014BCT2CLCT-ND
  别名：RV2C014BCT2CLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） ES6
  
  型号：SSM6P16FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM6P16FE(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM6P16FE(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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