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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 138W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7623-75A,118
  仓库库存编号：1727-7167-1-ND
  别名：1727-7167-1
  568-9652-1
  568-9652-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：BUZ31 H3045A
  仓库库存编号：BUZ31 H3045ACT-ND
  别名：BUZ31 H3045ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9605-30A,118
  仓库库存编号：1727-7187-1-ND
  别名：1727-7187-1
  568-9673-1
  568-9673-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） SOT-426
  
  型号：BUK9107-40ATC,118
  仓库库存编号：568-9662-1-ND
  别名：568-9662-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  SIC POWER MODULE-1200V-80A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A 600W Chassis Mount Module
  
  型号：BSM080D12P2C008
  仓库库存编号：BSM080D12P2C008-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  SIC POWER MODULE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 880W Surface Mount Module
  
  型号：BSM180D12P3C007
  仓库库存编号：BSM180D12P3C007-ND
  别名：Q9597863
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Micro Commercial Co
  MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-23
  
  型号：2N7002-TP
  仓库库存编号：2N7002-TPMSCT-ND
  别名：2N7002-TPMSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tj） 740mW（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN2106N3-G
  仓库库存编号：TN2106N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 175mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2104N3-G
  仓库库存编号：TP2104N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0106N3-G
  仓库库存编号：VN0106N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0606N3-G
  仓库库存编号：TN0606N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0106N3-G
  仓库库存编号：VP0106N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 230mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP2110A
  仓库库存编号：ZVP2110A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 430mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP0604N3-G
  仓库库存编号：TP0604N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 1.2A（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN3205N3-G
  仓库库存编号：VN3205N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 15W（Tc） TO-220-3
  
  型号：DN2540N5-G
  仓库库存编号：DN2540N5-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92
  
  型号：LP0701N3-G
  仓库库存编号：LP0701N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 650mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VP3203N3-G
  仓库库存编号：VP3203N3-G-ND
  
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 220mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TN2640N3-G
  仓库库存编号：TN2640N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：BUZ11_NR4941
  仓库库存编号：BUZ11_NR4941-ND
  别名：BUZ11NR4941
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 640mA（Tj） 740mW（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP2206N3-G
  仓库库存编号：VP2206N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
  
  型号：ALD1115PAL
  仓库库存编号：1014-1044-ND
  别名：1014-1044
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY01N100D
  仓库库存编号：IXTY01N100D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 14-PDIP
  
  型号：ALD1105PBL
  仓库库存编号：1014-1010-ND
  别名：1014-1010
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel, Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 14-PDIP
  
  型号：ALD1107PBL
  仓库库存编号：1014-1014-ND
  别名：1014-1014
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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