产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N CH 24V 3A PMCP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 3-PMCP
型号:
FK3P02110L
仓库库存编号:
FK3P02110LCT-ND
别名:FK3P02110LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
DMP2066LSS-13
仓库库存编号:
DMP2066LSSDICT-ND
别名:DMP2066LSSDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN2530N8-G
仓库库存编号:
DN2530N8-GCT-ND
别名:DN2530N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1W(Ta),2.7W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8475EDB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8475EDB-T1-E1CT-ND
别名:SI8475EDB-T1-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.23A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN2450N8-G
仓库库存编号:
DN2450N8-GCT-ND
别名:DN2450N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI-5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 125mW Surface Mount SSMini5-F2
型号:
UP0187B00L
仓库库存编号:
UP0187B00LCT-ND
别名:UP0187B00LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Ta) 500mW(Ta) ES6(1.6x1.6)
型号:
SSM6J207FE,LF
仓库库存编号:
SSM6J207FELFCT-ND
别名:SSM6J207FE(TE85LFCT
SSM6J207FE(TE85LFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 0.12A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 120mA(Tj) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
TP0610T-G
仓库库存编号:
TP0610T-GCT-ND
别名:TP0610T-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 1W(Ta),10W(Tc) U-G1
型号:
2SK327700L
仓库库存编号:
2SK327700LCT-ND
别名:2SK327700LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6P
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 50V, 30V 100mA 125mW Surface Mount SSMINI6-F1
型号:
UP0497900L
仓库库存编号:
UP0497900LCT-ND
别名:UP0497900LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 4.5A WSMINI6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 700mW(Ta) WS迷你型6-F1-B
型号:
FK6K02010L
仓库库存编号:
FK6K02010LCT-ND
别名:FK6K02010LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2A 3W Surface Mount SM8
型号:
ZDM4306NTA
仓库库存编号:
ZDM4306NCT-ND
别名:ZDM4306N
ZDM4306NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2A 3W Surface Mount SM8
型号:
ZDM4306NTA
仓库库存编号:
981-ZDM4306NTA-CHP
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1W Surface Mount WMini8-F1
型号:
MTM684110LBF
仓库库存编号:
MTM684110LBFCT-ND
别名:MTM684110LBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 600V SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
CPC3960ZTR
仓库库存编号:
CLA4158-1-ND
别名:CLA4158-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 100V 8A UG-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 1W(Ta),15W(Tc) U-G1
型号:
2SK303000L
仓库库存编号:
2SK303000LCT-ND
别名:2SK303000LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 85mA(Tj) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
TP5335K1-G
仓库库存编号:
TP5335K1-GCT-ND
别名:TP5335K1-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.122A SOT23-5
详细描述:表面贴装 P 沟道 122mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-5
型号:
ZXMP2120E5TA
仓库库存编号:
ZXMP2120E5CT-ND
别名:ZXMP2120E5CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET 2N-CH 24V
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.75W Surface Mount 6-EFLIP-LGA
型号:
UPA2375T1P-E1-A
仓库库存编号:
UPA2375T1P-E1-ACT-ND
别名:UPA2375T1P-E1-ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN4210GTA
仓库库存编号:
ZVN4210GCT-ND
别名:ZVN4210GCT
ZVN4210GTA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 100V 15A UG-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 1W(Ta),20W(Tc) U-G1
型号:
2SK303100L
仓库库存编号:
2SK303100LCT-ND
别名:2SK303100LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9535-55A,127
仓库库存编号:
568-9730-5-ND
别名:568-9730-5
934056191127
BUK9535-55A
BUK9535-55A,127-ND
BUK9535-55A-ND
BUK953555A127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.63A TO243AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 630mA(Tj) 1.6W(Tc) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN0104N8-G
仓库库存编号:
TN0104N8-GCT-ND
别名:TN0104N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 3-PMCP
型号:
FJ3P02100L
仓库库存编号:
FJ3P02100LCT-ND
别名:FJ3P02100LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
VN2460N8-G
仓库库存编号:
VN2460N8-GCT-ND
别名:VN2460N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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