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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 200mA 330mW Surface Mount SOT-963
  
  型号：DMP210DUDJ-7
  仓库库存编号：DMP210DUDJ-7DICT-ND
  别名：DMP210DUDJ-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 350mW（Tc） SST3
  
  型号：RYC002N05T316
  仓库库存编号：RYC002N05T316CT-ND
  别名：RYC002N05T316CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Micro Commercial Co
  P-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG
  详细描述：表面贴装 P 沟道 680mA 100mW SOT-883
  
  型号：SI3139KL-TP
  仓库库存编号：SI3139KL-TPMSCT-ND
  别名：SI3139KL-TPMSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Micro Commercial Co
  P-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG
  详细描述：表面贴装 P 沟道 660mA 150mW SOT-723
  
  型号：SI3139K-TP
  仓库库存编号：SI3139K-TPMSCT-ND
  别名：SI3139K-TPMSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Micro Commercial Co
  N-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA 150mW（Ta） SOT-723
  
  型号：SI3134K-TP
  仓库库存编号：SI3134K-TPMSCT-ND
  别名：SI3134K-TPMSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6
  
  型号：EM6K7T2R
  仓库库存编号：EM6K7T2RCT-ND
  别名：EM6K7T2RCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Micro Commercial Co
  P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：SI3407-TP
  仓库库存编号：SI3407-TPMSCT-ND
  别名：SI3407-TPMSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N/P-CH 20V WSMINI6-F1
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.9A, 1.2A 700mW Surface Mount WSMini6-F1-B
  
  型号：MTM763200LBF
  仓库库存编号：MTM763200LBFCT-ND
  别名：MTM763200LBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Micro Commercial Co
  N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：SI2312-TP
  仓库库存编号：SI2312-TPMSCT-ND
  别名：SI2312-TPMSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Ta） 1W（Ta） SOT-26
  
  型号：DMN2100UDM-7
  仓库库存编号：DMN2100UDMDICT-ND
  别名：DMN2100UDMDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 540mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
  
  型号：DMN2004TK-7
  仓库库存编号：DMN2004TK-7DICT-ND
  别名：DMN2004TK-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 1.08W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMP3160L-7
  仓库库存编号：DMP3160LDICT-ND
  别名：DMP3160LDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） CST3
  
  型号：SSM3K15ACT(TPL3)
  仓库库存编号：SSM3K15ACT(TPL3)CT-ND
  别名：SSM3K15ACT(TPL3)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：CMPDM7002AG TR
  仓库库存编号：CMPDM7002AG CT-ND
  别名：CMPDM7002AG CT
  
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 250mA 120mW Surface Mount EMT6
  
  型号：EM6K31GT2R
  仓库库存编号：EM6K31GT2RCT-ND
  别名：EM6K31GT2RCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3
  
  型号：RTU002P02T106
  仓库库存编号：RTU002P02T106CT-ND
  别名：RTU002P02T106CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
  
  型号：MTM761110LBF
  仓库库存编号：MTM761110LBFCT-ND
  别名：MTM761110LBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 490mW（Ta） SOT-23-5
  
  型号：DN1509K1-G
  仓库库存编号：DN1509K1-GCT-ND
  别名：DN1509K1-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 20V 1A WSSMINI6-F1
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
  
  型号：MTM861280LBF
  仓库库存编号：MTM861280LBFCT-ND
  别名：MTM861280LBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59
  
  型号：2SJ305TE85LF
  仓库库存编号：2SJ305TE85LFCT-ND
  别名：2SJ305TE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 160mA（Tj） 360mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：TP2104K1-G
  仓库库存编号：TP2104K1-GCT-ND
  别名：TP2104K1-GCT
  
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 800V SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400mW（Ta） SOT-23
  
  型号：CPC3982TTR
  仓库库存编号：CLA4160-1-ND
  别名：CLA4160-1
  
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0109N3-G
  仓库库存编号：VN0109N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVN3306FTA
  仓库库存编号：ZVN3306FCT-ND
  别名：ZVN3306F
  ZVN3306FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 0.134A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 134mA（Tj） 360mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：TN2124K1-G
  仓库库存编号：TN2124K1-GCT-ND
  别名：TN2124K1-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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