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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 540mA 250mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DMN2004VK-7
  仓库库存编号：DMN2004VKDICT-ND
  别名：DMN2004VKDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  
  型号：SSM6L16FETE85LF
  仓库库存编号：SSM6L16FETE85LFCT-ND
  别名：SSM6L16FETE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  
  型号：SSM6N15AFE,LM
  仓库库存编号：SSM6N15AFELMCT-ND
  别名：SSM6N15AFE,LMCT
  SSM6N15AFELMCT
  SSM6N15FE(TE85LF)CT
  SSM6N15FE(TE85LF)CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RSM002P03T2L
  仓库库存编号：RSM002P03T2LCT-ND
  别名：RSM002P03T2LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 568mW（Ta） SOT-143
  
  型号：MIC94050YM4-TR
  仓库库存编号：576-2937-1-ND
  别名：576-2937-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） CST3
  
  型号：SSM3J16CT(TPL3)
  仓库库存编号：SSM3J16CT(TPL3)CT-ND
  别名：SSM3J16CT(TPL3)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS270_D74Z
  仓库库存编号：BS270_D74ZFSCT-ND
  别名：BS270_D74ZFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.15A SOT-1123
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150mA（Ta） 125mW（Ta） SOT-1123
  
  型号：NTNUS3171PZT5G
  仓库库存编号：NTNUS3171PZT5GOSCT-ND
  别名：NTNUS3171PZT5GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMN2005K-7
  仓库库存编号：DMN2005K-7DICT-ND
  别名：DMN2005K-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 300mA 150mW Surface Mount EMT6
  
  型号：EM6K6T2R
  仓库库存编号：EM6K6T2RCT-ND
  别名：EM6K6T2RCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 360mW（Tc） SOT-23-3
  
  型号：VN2110K1-G
  仓库库存编号：VN2110K1-GCT-ND
  别名：VN2110K1-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B
  
  型号：FC6943010R
  仓库库存编号：FC6943010RCT-ND
  别名：FC6943010RCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 115mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：2N7002-G
  仓库库存编号：2N7002-GMCCT-ND
  别名：2N7002-GMCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 280mA 250mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DMN5010VAK-7
  仓库库存编号：DMN5010VAK-7DICT-ND
  别名：DMN5010VAK-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 250mA 150mW Surface Mount EMT6
  
  型号：EM6K31T2R
  仓库库存编号：EM6K31T2RCT-ND
  别名：EM6K31T2RCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
  
  型号：VT6J1T2CR
  仓库库存编号：VT6J1T2CRCT-ND
  别名：VT6J1T2CRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：DMN2114SN-7
  仓库库存编号：DMN2114SNDICT-ND
  别名：DMN2114SNDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：DMN2112SN-7
  仓库库存编号：DMN2112SNDICT-ND
  别名：DMN2112SNDICT
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3320A
  仓库库存编号：ZVN3320A-ND
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Ta） 1.5W（Ta） 8-DFN3020B（3x2）
  
  型号：DMS2120LFWB-7
  仓库库存编号：DMS2120LFWB-7DICT-ND
  别名：DMS2120LFWB-7DICT
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1.4W（Ta） U-DFN2020-6（B 类）
  
  型号：DMS2220LFDB-7
  仓库库存编号：DMS2220LFDB-7DICT-ND
  别名：DMS2220LFDB-7DICT
  DMS2220LFDBDICT
  DMS2220LFDBDICT-ND
  
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
  
  型号：MTM761100LBF
  仓库库存编号：MTM761100LBFCT-ND
  别名：MTM761100LBFCT
  
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  NCH 20V 150MA SM SIG MOSFET, VML
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150mA（Ta） 100mW（Ta） VML0604
  
  型号：RV3C002UNT2CL
  仓库库存编号：RV3C002UNT2CLCT-ND
  别名：RV3C002UNT2CL CT
  RV3C002UNT2CL CT-ND
  
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
  
  型号：FJ6K01010L
  仓库库存编号：FJ6K01010LCT-ND
  别名：FJ6K01010LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7A 1W Surface Mount WMini8-F1
  
  型号：MTMC8E280LBF
  仓库库存编号：MTMC8E280LBFCT-ND
  别名：MTMC8E280LBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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