产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.2A（Ta） 1.25W（Tj） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR4501NT1
仓库库存编号：
NTR4501NT1OSCT-ND
别名：NTR4501NT1OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 11.6A（Ta） 2.14W（Ta） TO-252-3
型号：
DMN2027LK3-13
仓库库存编号：
DMN2027LK3-13DICT-ND
别名：DMN2027LK3-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS4149PTBG
仓库库存编号：
NTLJS4149PTBG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 4A TSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3K316T(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM3K316T(TE85LF)CT-ND
别名：SSM3K316T(T5LFT)CT
SSM3K316T(T5LFT)CT-ND
SSM3K316T(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V .5A CST4
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 500mA（Ta） 400mW（Ta） CST4（1.2x0.8）
型号：
SSM4K27CT(TPL3)
仓库库存编号：
SSM4K27CTTPL3CT-ND
别名：SSM4K27CT(TPL3)CT
SSM4K27CT(TPL3)CT-ND
SSM4K27CTTPL3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.9A（Ta） 500mW（Ta） UFV
型号：
SSM5H12TU(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM5H12TU(TE85LF)CT-ND
别名：SSM5H12TU(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB418
仓库库存编号：
785-1211-1-ND
别名：785-1211-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 900mA（Tc） 340mW（Ta），370mW（Tc） SC-70-3
型号：
SI1304BDL-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1304BDL-T1-GE3CT-ND
别名：SI1304BDL-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.7A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1417EDH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1417EDH-T1-GE3CT-ND
别名：SI1417EDH-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.1A（Tc） 1.5W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1470DH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1470DH-T1-GE3CT-ND
别名：SI1470DH-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
型号：
SI4446DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4446DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4446DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Tc） 3.1W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7621DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7621DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7621DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7703EDN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7703EDN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7703EDN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 780mW（Ta），1.8W（Tc） 4-Microfoot
型号：
SI8467DB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8467DB-T2-E1CT-ND
别名：SI8467DB-T2-E1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V SC89
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
型号：
SI1058X-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1058X-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 236mW（Ta） SC-89-6
型号：
SI1069X-T1-E3
仓库库存编号：
SI1069X-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 670mA（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3
型号：
SI1303DL-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1303DL-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1402DH-T1-E3
仓库库存编号：
SI1402DH-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1402DH-T1-GE3
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SI1402DH-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3407DV-T1-E3
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SI3407DV-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.6A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3434DV-T1-GE3
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3446ADV-T1-GE3
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SI3446ADV-T1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 1.25W（Ta），2.1W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3451DV-T1-GE3
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SI3451DV-T1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2A（Ta） 830mW（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3812DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3812DV-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.6A（Ta） 830mW（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3853DV-T1-GE3
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SI3853DV-T1-GE3-ND
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