产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO
型号：
SI4348DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4348DY-T1-E3TR-ND
别名：SI4348DY-T1-E3TR
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.78W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7328DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7328DN-T1-GE3TR-ND
别名：SI7328DN-T1-GE3TR
SI7328DNT1GE3
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7104DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7104DN-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.78W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7328DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7328DN-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7104DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7104DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.47W（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8401DB-T1-E3
仓库库存编号：
SI8401DB-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7342DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7342DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4442DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4442DY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4368DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4368DY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE810DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE810DF-T1-E3TR-ND
别名：SIE810DF-T1-E3TR
SIE810DFT1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE810DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE810DF-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 7.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL202SNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL202SNH6327XTSA1-ND
别名：SP001100644
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 84A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3802TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3802TRPBFCT-ND
别名：IRLR3802TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7207QTR
仓库库存编号：
AUIRF7207QTR-ND
别名：SP001517970
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7463TRPBF
仓库库存编号：
IRF7463PBFTR-ND
别名：IRF7463PBFTR
IRF7463TRPBF-ND
IRF7463TRPBFTR-ND
SP001551388
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 30A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC019N02KSGAUMA1
仓库库存编号：
BSC019N02KSGAUMA1TR-ND
别名：BSC019N02KS G
BSC019N02KS G-ND
SP000307376
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 13A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7805QTR
仓库库存编号：
AUIRF7805QTRTR-ND
别名：AUIRF7805QTRTR
SP001519422
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7455
仓库库存编号：
IRF7455-ND
别名：*IRF7455
SP001572180
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.5A（Tc） 2W（Tc） 8-SO
型号：
STS2DPFS20V
仓库库存编号：
497-3225-1-ND
别名：497-3225-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Tc） 1.6W（Tc） SOT-23-6
型号：
STT3PF20V
仓库库存编号：
STT3PF20V-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.87A SOT883
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.87A（Tc） 2.5W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ350XN,315
仓库库存编号：
568-7441-1-ND
别名：568-7441-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.8A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.8A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV20XN,215
仓库库存编号：
568-7534-1-ND
别名：568-7534-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.9A（Tc） 280mW（Tj） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV31XN,215
仓库库存编号：
568-2354-1-ND
别名：568-2354-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.85A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 850mA（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS352P
仓库库存编号：
NDS352PCT-ND
别名：NDS352PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS356P
仓库库存编号：
NDS356PCT-ND
别名：NDS356PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±12V,
无铅
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