产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(836)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(836)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(6)
Diodes Incorporated(21)
Fairchild/ON Semiconductor(135)
Infineon Technologies(444)
Nexperia USA Inc.(43)
NXP USA Inc.(26)
ON Semiconductor(55)
STMicroelectronics(68)
Vishay Siliconix(38)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S3L-06
仓库库存编号:
IPP80N06S3L-06-ND
别名:IPP80N06S3L06X
IPP80N06S3L06XK
SP000088006
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 105W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S3L-08
仓库库存编号:
IPP80N06S3L-08IN-ND
别名:IPP80N06S3L-08-ND
IPP80N06S3L-08IN
IPP80N06S3L08X
IPP80N06S3L08XK
SP000088127
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S3L-04
仓库库存编号:
IPB100N06S3L-04INCT-ND
别名:IPB100N06S3L-04INCT
IPB100N06S3L04
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N06S3L-13
仓库库存编号:
IPB45N06S3L-13INCT-ND
别名:IPB45N06S3L-13INCT
IPB45N06S3L13
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 165W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S3L-05
仓库库存编号:
IPB80N06S3L-05INCT-ND
别名:IPB80N06S3L-05INCT
IPB80N06S3L05
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S3L-06
仓库库存编号:
IPB80N06S3L-06INCT-ND
别名:IPB80N06S3L-06INCT
IPB80N06S3L06
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540NSTRL
仓库库存编号:
IRL540NSTRLCT-ND
别名:IRL540NSTRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3303STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRRPBF
仓库库存编号:
IRL3103STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3114ZPBF
仓库库存编号:
IRLU3114ZPBF-ND
别名:SP001567310
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRLP
仓库库存编号:
IRL3103D1STRLPCT-ND
别名:IRL3103D1STRLPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRL1404ZLPBF
仓库库存编号:
IRL1404ZLPBF-ND
别名:SP001552544
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2703STRLPBF
仓库库存编号:
IRL2703STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3303STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 104A(Tc) 2.4W(Ta),167W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1104STRLPBF
仓库库存编号:
IRL1104STRLPBF-ND
别名:SP001576402
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTRPBF
仓库库存编号:
IRLR014NTRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号:
IPI22N03S4L15AKSA1-ND
别名:IPI22N03S4L-15
IPI22N03S4L-15-ND
SP000277016
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N03S4L04AKSA1-ND
别名:IPI80N03S4L-04
IPI80N03S4L-04-ND
SP000274983
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号:
IPP22N03S4L15AKSA1-ND
别名:IPP22N03S4L-15
IPP22N03S4L-15-ND
SP000275290
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N03S4L04AKSA1-ND
别名:IPP80N03S4L-04
IPP80N03S4L-04-ND
SP000274981
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 143W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3636PBF
仓库库存编号:
IRLU3636PBF-ND
别名:SP001567320
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRLH5030TR2PBF
仓库库存编号:
IRLH5030TR2PBFCT-ND
别名:IRLH5030TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 103W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7524-55,127
仓库库存编号:
BUK7524-55,127-ND
别名:934045180127
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N06S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPB45N06S4L08ATMA1TR-ND
别名:IPB45N06S4L-08
IPB45N06S4L-08-ND
SP000374316
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S4L05ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4L-05
IPB80N06S4L-05-ND
SP000415570
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±16V,
无铅
搜索
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号