产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta),7.1A(Tc) 1.9W(Ta) SOT-223
型号:
DMN15H310SE-13
仓库库存编号:
DMN15H310SE-13DICT-ND
别名:DMN15H310SE-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),116A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8874
仓库库存编号:
FDD8874CT-ND
别名:FDD8874CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8788TRPBF
仓库库存编号:
IRF8788TRPBFCT-ND
别名:IRF8788TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P6ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF3717TRPBF
仓库库存编号:
IRF3717PBFCT-ND
别名:*IRF3717TRPBF
IRF3717PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6298
仓库库存编号:
FDS6298CT-ND
别名:FDS6298CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),65W(Tc) Power56
型号:
FDMS7670AS
仓库库存编号:
FDMS7670ASFSCT-ND
别名:FDMS7670ASFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7806ADN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7806ADN-T1-E3CT-ND
别名:SI7806ADN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
详细描述:表面贴装 N 沟道 36.5A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SISS40DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS40DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS40DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC12DN20NS3 G
仓库库存编号:
BSC12DN20NS3GCT-ND
别名:BSC12DN20NS3GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta),5.5A(Tc) 3.1W(Ta),29W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD86113LZ
仓库库存编号:
FDD86113LZFSCT-ND
别名:FDD86113LZFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Tc) 56.8W(Tc) 8-ThinPak(5x6)
型号:
IPL60R650P6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R650P6SATMA1CT-ND
别名:IPL60R650P6SATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014NE2LSI
仓库库存编号:
BSC014NE2LSICT-ND
别名:BSC014NE2LSICT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3590
仓库库存编号:
FDS3590CT-ND
别名:FDS3590CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
FDFS6N548
仓库库存编号:
FDFS6N548CT-ND
别名:FDFS6N548CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5418DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5418DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5418DU-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4104TRPBF
仓库库存编号:
IRFR4104PBFCT-ND
别名:*IRFR4104TRPBF
IRFR4104PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 23.5A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 23.5A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17553Q5A
仓库库存编号:
296-30602-1-ND
别名:296-30602-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 161A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7843TRPBF
仓库库存编号:
IRLR7843PBFCT-ND
别名:*IRLR7843TRPBF
IRLR7843PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 120mA(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223-4
型号:
BSP135H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP135H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP135H6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR416DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR416DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR416DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 50W(Tc) DPAK+
型号:
TK7S10N1Z,LQ
仓库库存编号:
TK7S10N1ZLQCT-ND
别名:TK7S10N1ZLQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 11A TP-FA
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 1W(Ta),35W(Tc) TP-FA
型号:
SFT1345-TL-H
仓库库存编号:
SFT1345-TL-HOSCT-ND
别名:SFT1345-TL-HOSCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC020N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC020N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC020N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC020N03MSGINCT
BSC020N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30P06P G
仓库库存编号:
SPD30P06P GCT-ND
别名:SPD30P06P GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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