产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 2.7W(Ta),29W(Tc) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFHM4231TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM4231TRPBFCT-ND
别名:IRFHM4231TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 108V 100A(Tj) 263W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN8R5-108ESQ
仓库库存编号:
568-11432-5-ND
别名:568-11432-5
934068134127
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R5-40EJ
仓库库存编号:
BUK761R5-40EJ-ND
别名:934067767118
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K4CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4CEBKMA1-ND
别名:SP001100620
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K8CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K8CEBKMA1-ND
别名:SP001100622
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K0CEBKMA1-ND
别名:SP001100624
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R2K8CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K8CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R2K8CEBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R1K4CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4CEBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R1K0CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K0CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R1K0CEBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Ta),70A(Tc) 3.4W(Ta),46W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH4226TRPBF
仓库库存编号:
IRFH4226TRPBFCT-ND
别名:IRFH4226TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3206TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3206TRLCT-ND
别名:AUIRFS3206TRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 44A(Ta),260A(Tc) 3.5W(Ta),125W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH4209DTRPBF
仓库库存编号:
IRFH4209DTRPBF-ND
别名:SP001554690
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 51.5A(Tc) 46W(Tc) TO-220F-3
型号:
PSMN7R6-60XSQ
仓库库存编号:
568-12475-ND
别名:568-12475
934069171127
PSMN7R6-60XS,127
PSMN7R6-60XSQ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Ta),93A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF7171MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7171MTRPBFCT-ND
别名:IRF7171MTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Ta),105A(Tc) 3.8W(Ta),132W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7188TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7188TRPBFCT-ND
别名:IRFH7188TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.6A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001271058
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.8A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R1K4CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K4CEXKSA1-ND
别名:SP001271052
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R460CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R460CEXKSA1-ND
别名:SP001271070
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.5A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R650CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R650CEXKSA1-ND
别名:SP001286432
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-251
型号:
IPU60R1K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEBKMA1-ND
别名:SP001276056
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-251
型号:
IPU60R1K5CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K5CEBKMA1-ND
别名:SP001276062
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.3A(Ta),34A(Tc) 2.8W(Ta),37W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM7194TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM7194TRPBF-ND
别名:SP001565966
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Ta),128A(Tc) 3.9W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7184TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7184TRPBF-ND
别名:SP001570944
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Ta),82A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7190TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7190TRPBF-ND
别名:SP001560410
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7437TRLPBF
仓库库存编号:
IRFSL7437TRLPBF-ND
别名:SP001567740
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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