产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD068P03L3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD068P03L3GBTMA1CT-ND
别名：IPD068P03L3 GCT
IPD068P03L3 GCT-ND
IPD068P03L3GBTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD122N10N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD122N10N3 GCT
IPD122N10N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD180N10N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD180N10N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD180N10N3 GCT
IPD180N10N3 GCT-ND
IPD180N10N3GBTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD250N06N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD250N06N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD250N06N3 GCT
IPD250N06N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD530N15N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD530N15N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD530N15N3 GCT
IPD530N15N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R520C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R520C6BTMA1CT
IPD60R520C6CT
IPD60R520C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R520CPBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R520CPBTMA1CT-ND
别名：IPD60R520CPCT
IPD60R520CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600CPBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R600CPBTMA1CT-ND
别名：IPD60R600CPCT
IPD60R600CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L20GBTMA1
仓库库存编号：
SPD30N03S2L20GBTMA1CT-ND
别名：SPD30N03S2L-20 GCT
SPD30N03S2L-20 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S207GBTMA1
仓库库存编号：
SPD50N03S207GBTMA1CT-ND
别名：SPD50N03S2-07 GCT
SPD50N03S2-07 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 39A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB012N03LX3 G
仓库库存编号：
BSB012N03LX3 GCT-ND
别名：BSB012N03LX3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 37A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB012NE2LX
仓库库存编号：
BSB012NE2LXCT-ND
别名：BSB012NE2LXCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），147A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB017N03LX3 G
仓库库存编号：
BSB017N03LX3 GCT-ND
别名：BSB017N03LX3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
型号：
BSD314SPEL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSD314SPEL6327HTSA1CT-ND
别名：BSD314SPE L6327CT
BSD314SPE L6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF050N03LQ3GXUMA1
仓库库存编号：
BSF050N03LQ3GXUMA1CT-ND
别名：BSF050N03LQ3 GCT
BSF050N03LQ3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP299L6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP299L6327HUSA1CT-ND
别名：BSP299 L6327CT
BSP299 L6327CT-ND
BSP299L6327
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 170mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP324L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP324L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP324 L6327CT
BSP324 L6327CT-ND
BSP324L6327
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159NL6906HTSA1
仓库库存编号：
BSS159NL6906HTSA1CT-ND
别名：BSS159N L6906CT
BSS159N L6906CT-ND
BSS159NL6906
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSS169L6906HTSA1CT-ND
别名：BSS169 L6906CT
BSS169 L6906CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 96W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF7946TR1PBF
仓库库存编号：
IRF7946TR1PBFCT-ND
别名：IRF7946TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH7004TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH7004TR2PBFCT-ND
别名：IRFH7004TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 11A（Ta），58A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH7110TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH7110TR2PBFCT-ND
别名：IRFH7110TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFZ24NSTRR
仓库库存编号：
AUIRFZ24NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 79A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF1018ES
仓库库存编号：
AUIRF1018ES-ND
别名：SP001517308
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF1404S
仓库库存编号：
AUIRF1404S-ND
别名：SP001522616
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