产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 17A（Ta），85A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC884N03MS G
仓库库存编号：
BSC884N03MS GCT-ND
别名：BSC884N03MS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC889N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC889N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC889N03LS GCT
BSC889N03LS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 44A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC889N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC889N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC889N03MS GCT
BSC889N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 13A（Ta），56A（Tc） 2.2W（Ta），38W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF077N06NT3GXUMA1
仓库库存编号：
BSF077N06NT3GXUMA1CT-ND
别名：BSF077N06NT3 GCT
BSF077N06NT3 GCT-ND
BSF077N06NT3G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP125L6433HTMA1
仓库库存编号：
BSP125L6433HTMA1CT-ND
别名：BSP125 L6433CT
BSP125 L6433CT-ND
BSP125L6433
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP135L6433HTMA1
仓库库存编号：
BSP135L6433HTMA1CT-ND
别名：BSP135 L6433CT
BSP135 L6433CT-ND
BSP135L6433
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP320SL6433HTMA1
仓库库存编号：
BSP320SL6433HTMA1CT-ND
别名：BSP320S L6433CT
BSP320S L6433CT-ND
BSP320SL6433
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB022N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB022N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB022N04L GCT
IPB022N04L GCT-ND
IPB022N04LG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB023N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB023N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB023N04N GCT
IPB023N04N GCT-ND
IPB023N04NG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 140A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB023N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB023N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB023N06N3 GCT
IPB023N06N3 GCT-ND
IPB023N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB039N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB039N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB039N04L GCT
IPB039N04L GCT-ND
IPB039N04LG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB041N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB041N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB041N04N GCT
IPB041N04N GCT-ND
IPB041N04NG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB049N06L3GATMA1
仓库库存编号：
IPB049N06L3GATMA1CT-ND
别名：IPB049N06L3 GCT
IPB049N06L3 GCT-ND
IPB049N06L3G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB052N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB052N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB052N04N GCT
IPB052N04N GCT-ND
IPB052N04NG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 130A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB065N15N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB065N15N3GE8187ATMA1CT-ND
别名：IPB065N15N3 G E8187CT
IPB065N15N3 G E8187CT-ND
IPB065N15N3GE8187
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB072N15N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB072N15N3GE8187ATMA1CT-ND
别名：IPB072N15N3 G E8187CT
IPB072N15N3 G E8187CT-ND
IPB072N15N3GE8187
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB075N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB075N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB075N04L GCT
IPB075N04L GCT-ND
IPB075N04LG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB093N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB093N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB093N04L GCT
IPB093N04L GCT-ND
IPB093N04LG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB097N08N3 G
仓库库存编号：
IPB097N08N3 GCT-ND
别名：IPB097N08N3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB136N08N3 G
仓库库存编号：
IPB136N08N3 GCT-ND
别名：IPB136N08N3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB230N06L3GATMA1
仓库库存编号：
IPB230N06L3GATMA1CT-ND
别名：IPB230N06L3 GCT
IPB230N06L3 GCT-ND
IPB230N06L3G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB260N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB260N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB260N06N3 GCT
IPB260N06N3 GCT-ND
IPB260N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 66W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R520CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R520CPATMA1CT-ND
别名：IPB60R520CPCT
IPB60R520CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD038N04NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD038N04NGBTMA1CT-ND
别名：IPD038N04N GCT
IPD038N04N GCT-ND
IPD038N04NG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
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型号：
IPD053N06N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD053N06N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD053N06N3 GCT
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