产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(14495)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(14495)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(538)
Diodes Incorporated(673)
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1342)
Infineon Technologies(4378)
IXYS(1103)
IXYS Integrated Circuits Division(5)
Micro Commercial Co(18)
Microchip Technology(141)
Microsemi Corporation(204)
Nexperia USA Inc.(591)
NXP USA Inc.(247)
ON Semiconductor(1298)
Panasonic Electronic Components(31)
Renesas Electronics America(232)
Rohm Semiconductor(263)
Sanken(85)
STMicroelectronics(588)
Taiwan Semiconductor Corporation(268)
Texas Instruments(99)
Torex Semiconductor Ltd(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(304)
Vishay Semiconductor Diodes Division(9)
Vishay Siliconix(2072)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35.3A（Tc） 59.4W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y25-40B/C,115
仓库库存编号：
BUK7Y25-40B/C,115-ND
别名：934064769115
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35.2A （Tc） 48.4W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN013-100XS,127
仓库库存编号：
568-9499-5-ND
别名：568-9499-5
934066044127
PSMN013-100XS,127-ND
PSMN013-100XS127
PSMN013100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 32.1A（Tc） 46.1W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN016-100XS,127
仓库库存编号：
568-9500-5-ND
别名：568-9500-5
934066045127
PSMN016-100XS,127-ND
PSMN016-100XS127
PSMN016100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 67.5A（Tc） 63.8W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN5R0-100XS,127
仓库库存编号：
568-9760-5-ND
别名：568-9760-5
934066039127
PSMN5R0-100XS,127-ND
PSMN5R0-100XS127
PSMN5R0100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 61.8A（Tc） 60W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN5R6-100XS,127
仓库库存编号：
568-9496-5-ND
别名：568-9496-5
934066041127
PSMN5R6-100XS,127-ND
PSMN5R6-100XS127
PSMN5R6100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 55A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 55A（Tc） 57.7W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN7R0-100XS,127
仓库库存编号：
568-9497-5-ND
别名：934066042127
PSMN7R0-100XS,127-ND
PSMN7R0-100XS127
PSMN7R0100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 44.2A（Tc） 52.6W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN9R5-100XS,127
仓库库存编号：
568-9498-5-ND
别名：568-9498-5
934066043127
PSMN9R5-100XS,127-ND
PSMN9R5-100XS127
PSMN9R5100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD100N06S403ATMA1
仓库库存编号：
IPD100N06S403ATMA1TR-ND
别名：IPD100N06S4-03
IPD100N06S4-03-ND
SP000415576
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS84PH6327XTSA1-ND
别名：BSS84P H6327
BSS84P H6327-ND
SP000702496
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ31HXKSA1
仓库库存编号：
BUZ31HXKSA1-ND
别名：BUZ31 H
BUZ31 H-ND
BUZ31H
SP000682992
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ31L H
仓库库存编号：
BUZ31L H-ND
别名：BUZ31LH
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73HXKSA1
仓库库存编号：
BUZ73HXKSA1-ND
别名：BUZ73 H
BUZ73 H-ND
BUZ73H
SP000683000
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73H3046XKSA1
仓库库存编号：
BUZ73H3046XKSA1-ND
别名：BUZ73 H3046
BUZ73 H3046-ND
BUZ73H3046
SP000683002
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73A H
仓库库存编号：
BUZ73A H-ND
别名：BUZ73AH
BUZ73AHXKSA1
SP000683004
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73A H3046
仓库库存编号：
BUZ73A H3046-ND
别名：BUZ73AH3046
BUZ73AH3046XKSA1
SP000683006
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73ALHXKSA1
仓库库存编号：
BUZ73ALHXKSA1-ND
别名：BUZ73AL H
BUZ73AL H-ND
BUZ73ALH
SP000683012
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73LHXKSA1
仓库库存编号：
BUZ73LHXKSA1-ND
别名：BUZ73L H
BUZ73L H-ND
SP000683014
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N04S402AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N04S402AKSA1-ND
别名：IPP120N04S4-02
IPP120N04S4-02-ND
SP000764734
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP90N04S402AKSA1
仓库库存编号：
IPP90N04S402AKSA1-ND
别名：IPP90N04S4-02
IPP90N04S4-02-ND
SP000646200
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），75W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF8306MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF8306MTR1PBFCT-ND
别名：IRF8306MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH7107TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH7107TR2PBFCT-ND
别名：IRFH7107TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.4A（Ta），45A（Tc） 76W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC205N10LS G
仓库库存编号：
BSC205N10LS GCT-ND
别名：BSC205N10LS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC240N12NS3 G
仓库库存编号：
BSC240N12NS3 GCT-ND
别名：BSC240N12NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC882N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC882N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC882N03MS GCT
BSC882N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 19A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC883N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC883N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC883N03MS GCT
BSC883N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
567
568
569
570
571
572
573
574
575
576
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
