产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI052NE7N3 G
仓库库存编号：
IPI052NE7N3 G-ND
别名：IPI052NE7N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N06S403AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N06S403AKSA1-ND
别名：IPI120N06S4-03
IPI120N06S4-03-ND
SP000396308
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N06S4H1AKSA1-ND
别名：IPI120N06S4-H1
IPI120N06S4-H1-ND
SP000415620
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI126N10N3 G
仓库库存编号：
IPI126N10N3 G-ND
别名：IPI126N10N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI45N06S409AKSA1
仓库库存编号：
IPI45N06S409AKSA1-ND
别名：IPI45N06S4-09
IPI45N06S4-09-ND
SP000374332
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S407AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S407AKSA1-ND
别名：IPI80N06S4-07
IPI80N06S4-07-ND
SP000415690
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP065N04N G
仓库库存编号：
IPP065N04N G-ND
别名：IPP065N04NG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S402AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06S402AKSA1-ND
别名：IPP120N06S4-02
IPP120N06S4-02-ND
SP000415700
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S403AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06S403AKSA1-ND
别名：IPP120N06S4-03
IPP120N06S4-03-ND
SP000396380
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N06S4H1AKSA1-ND
别名：IPP120N06S4-H1
IPP120N06S4-H1-ND
SP000415698
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP45N06S409AKSA1
仓库库存编号：
IPP45N06S409AKSA1-ND
别名：IPP45N06S4-09
IPP45N06S4-09-ND
SP000374339
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S407AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N06S407AKSA1-ND
别名：IPP80N06S4-07
IPP80N06S4-07-ND
SP000415706
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP90N06S404AKSA1
仓库库存编号：
IPP90N06S404AKSA1-ND
别名：IPP90N06S4-04
IPP90N06S4-04-ND
SP000379634
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 120V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS110N12N3GBKMA1
仓库库存编号：
IPS110N12N3GBKMA1-ND
别名：IPS110N12N3 G
IPS110N12N3 G-ND
IPS110N12N3GBKMA1TR-ND
SP000674456
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS118N10N G
仓库库存编号：
IPS118N10N G-ND
别名：SP000475890
SP000680974
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L07GBTMA1
仓库库存编号：
SPD30N03S2L07GBTMA1TR-ND
别名：SP000443922
SPD30N03S2L-07 G
SPD30N03S2L-07 G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB021N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB021N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB021N06N3 GCT
IPB021N06N3 GCT-ND
IPB021N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB034N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB034N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB034N06N3 GCT
IPB034N06N3 GCT-ND
IPB034N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R600CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R600CPATMA1CT-ND
别名：IPB60R600CPCT
IPB60R600CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD110N12N3GBUMA1
仓库库存编号：
IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
别名：IPD110N12N3 GCT
IPD110N12N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD600N25N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD600N25N3 GCT
IPD600N25N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 40V 56A（Ta） 143W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9204PBF
仓库库存编号：
IRF9204PBF-ND
别名：SP001555810
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3077GPBF
仓库库存编号：
IRFB3077GPBF-ND
别名：SP001555982
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 130A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4310GPBF
仓库库存编号：
IRFB4310GPBF-ND
别名：SP001564018
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4310ZGPBF
仓库库存编号：
IRFB4310ZGPBF-ND
别名：SP001575544
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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