产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 79W（Tc） DPAK
型号：
PHD18NQ10T,118
仓库库存编号：
PHD18NQ10T,118-ND
别名：934055700118
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7628-100A/C,118
仓库库存编号：
BUK7628-100A/C,118-ND
别名：934060683118
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
型号：
BUK7210-55B/C1,118
仓库库存编号：
BUK7210-55B/C1,118-ND
别名：934062108118
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 250mW（Ta） DFN1006-3
型号：
2N7002PM,315
仓库库存编号：
2N7002PM,315-ND
别名：934064133315
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB019N03LX G
仓库库存编号：
BSB019N03LX G-ND
别名：SP000597826
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），145A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB024N03LX G
仓库库存编号：
BSB024N03LX G-ND
别名：SP000597838
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），71A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB053N03LP G
仓库库存编号：
BSB053N03LP G-ND
别名：SP000597830
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），71A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF053N03LT G
仓库库存编号：
BSF053N03LT G-ND
别名：SP000597832
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF083N03LQ G
仓库库存编号：
BSF083N03LQ G-ND
别名：SP000597834
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS127H6327XTSA1-ND
别名：BSS127 H6327
BSS127 H6327-ND
SP000705718
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS159NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS159NH6327XTSA1-ND
别名：BSS159N H6327
BSS159N H6327-ND
SP000639076
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS314PEL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS314PEL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS314PE L6327
BSS314PE L6327-ND
SP000473000
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS83P L6327-ND
别名：BSS83P L6327
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S402ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N06S402ATMA1TR-ND
别名：IPB120N06S4-02
IPB120N06S4-02-ND
SP000415560
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N06S403ATMA1TR-ND
别名：IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03-ND
SP000415558
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S4H1ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
别名：IPB120N06S4-H1
IPB120N06S4-H1-ND
SP000396274
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N06S4H1ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
别名：IPB180N06S4-H1
IPB180N06S4-H1-ND
SP000415562
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45N06S409ATMA1
仓库库存编号：
IPB45N06S409ATMA1TR-ND
别名：IPB45N06S4-09
IPB45N06S4-09-ND
SP000374315
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S405ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S405ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S4-05
IPB80N06S4-05-ND
SP000415566
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S407ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S407ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S4-07
IPB80N06S4-07-ND
SP000415568
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB90N06S404ATMA1
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IPB90N06S404ATMA1TR-ND
别名：IPB90N06S4-04
IPB90N06S4-04-ND
SP000379632
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N06S409ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S409ATMA1TR-ND
别名：IPD50N06S4-09
IPD50N06S4-09-ND
SP000374321
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S404ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S404ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-04
IPD90N06S4-04-ND
SP000374323
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S405ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S405ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-05
IPD90N06S4-05-ND
SP000481510
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N06S407ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N06S407ATMA1TR-ND
别名：IPD90N06S4-07
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