产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS83PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS83PL6327CT-ND
BSS83PL6327CT_ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 45A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5250TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5250TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5250TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），250W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5300TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5300TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5300TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 300W（Tc）
型号：
IPP023NE7N3 G
仓库库存编号：
IPP023NE7N3 GCT-ND
别名：IPP023NE7N3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 104W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH1825AL,115
仓库库存编号：
PH1825AL,115-ND
别名：934063226115
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 55A（Tc） 150W（Tc） DPAK
型号：
BUK7213-40A,118
仓库库存编号：
BUK7213-40A,118-ND
别名：934058199118
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO130N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO130N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO130N03MS GCT
BSO130N03MS GCT-ND
BSO130N03MSG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS315P L6327CT
BSS315P L6327CT-ND
BSS315PL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB120N04S3-02
仓库库存编号：
IPB120N04S3-02CT-ND
别名：IPB120N04S3-02CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N04S3-07
仓库库存编号：
IPB70N04S3-07CT-ND
别名：IPB70N04S3-07CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD200N15N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD200N15N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD200N15N3 GCT
IPD200N15N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 82A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70N04S3-07
仓库库存编号：
IPD70N04S3-07CT-ND
别名：IPD70N04S3-07CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL302SNL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL302SNL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL302SN L6327INCT
BSL302SN L6327INCT-ND
BSL302SNL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO220N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO220N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO220N03MS GINCT
BSO220N03MS GINCT-ND
BSO220N03MSG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD031N03M G
仓库库存编号：
IPD031N03M GINCT-ND
别名：IPD031N03M GINCT
IPD031N03MG
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380C6
仓库库存编号：
IPD60R380C6INCT-ND
别名：IPD60R380C6INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R600C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R600C6BTMA1CT
IPD60R600C6INCT
IPD60R600C6INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R950C6
仓库库存编号：
IPD60R950C6INCT-ND
别名：IPD60R950C6INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5004TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5004TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5004TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 10A（Ta），56A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5015TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5015TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5015TR2PBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.1A（Ta） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5020TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5020TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5020TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5250DTR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5250DTR2PBFCT-ND
别名：IRFH5250DTR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），51A（Tc） 3.6W（Ta），26W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5255TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5255TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5255TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5302DTR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5302DTR2PBFCT-ND
别名：IRFH5302DTR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），79A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5304TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5304TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5304TR2PBFCT
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