产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 195A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1324STRLPBF
仓库库存编号:
IRF1324STRLPBFCT-ND
别名:IRF1324STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 38A(Ta),200A(Tc) 2.8W(Ta),96W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6717MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6717MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6717MTR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 31A(Ta),190A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6729MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6729MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6729MTR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),42A(Tc) 2.8W(Ta) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFH3702TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH3702TR2PBFCT-ND
别名:IRFH3702TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),35A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7914TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7914TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7914TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),54A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7936TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7936TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7936TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505GTRPBF
仓库库存编号:
IRFR5505GTRPBFCT-ND
别名:IRFR5505GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 220W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1404ZGPBF
仓库库存编号:
IRF1404ZGPBF-ND
别名:SP001553874
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3004GPBF
仓库库存编号:
IRFB3004GPBF-ND
别名:SP001563908
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.1A(Ta),14.4A(Tc) 2.4W(Ta),30W(Tc) DIRECTFET SB
型号:
IRF7665S2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7665S2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7665S2TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 45A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK7226-75A/C1,118
仓库库存编号:
BUK7226-75A/C1,118-ND
别名:934061629118
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 255W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R4-30B,127
仓库库存编号:
568-6624-5-ND
别名:568-6624
568-6624-5
568-6624-ND
934060026127
BUK753R4-30B,127-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 333W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E4R3-75C,127
仓库库存编号:
568-6630-5-ND
别名:568-6630
568-6630-5
568-6630-ND
934060123127
BUK7E4R3-75C,127-ND
BUK7E4R375C127
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP165NQ08T,127
仓库库存编号:
PHP165NQ08T,127-ND
别名:934062188127
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8714GPBF
仓库库存编号:
IRF8714GPBF-ND
别名:SP001551628
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8721GPBF
仓库库存编号:
IRF8721GPBF-ND
别名:SP001555790
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 61A(Ta),270A(Tc) 4.3W(Ta),83W(Tc) DIRECTFET L6
型号:
IRF6718L2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6718L2TR1PBFCT-ND
别名:IRF6718L2TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),110W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5301TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5301TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5301TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),100W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5302TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5302TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5302TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),44A(Tc) 3.6W(Ta),26W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5306TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5306TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5306TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 46A(Ta),375A(Tc) 3.8W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRF7739L2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7739L2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7739L2TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 33A(Ta),375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRF7749L2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7749L2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7749L2TR1PBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 26A(Ta),375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRF7759L2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7759L2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7759L2TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRF7769L2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7769L2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7769L2TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRF7779L2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7779L2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7779L2TR1PBFCT
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