产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S205ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S205ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-05
IPB80N06S2-05-ND
SP000218877
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S207ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S207ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-07
IPB80N06S2-07-ND
SP000218818
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S208ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S208ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-08
IPB80N06S2-08-ND
SP000218830
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S209ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S209ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-09
IPB80N06S2-09-ND
SP000218741
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2H5ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-H5
IPB80N06S2-H5-ND
SP000218162
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-05
IPB80N06S2L-05-ND
SP000219004
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L06ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L06ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-06
IPB80N06S2L-06-ND
SP000218163
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-07
IPB80N06S2L-07-ND
SP000218867
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L09ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L09ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-09
IPB80N06S2L-09-ND
SP000218743
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L11ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L11ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-11
IPB80N06S2L-11-ND
SP000218177
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L-H5
仓库库存编号：
IPB80N06S2L-H5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S3-05
仓库库存编号：
IPB80N06S3-05-ND
别名：SP000102222
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD068N10N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD068N10N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD068N10N3 G
IPD068N10N3 G-ND
SP000469892
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD082N10N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-ND
SP000485986
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD088N04LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD088N04LGBTMA1TR-ND
别名：IPD088N04L G
IPD088N04L G-ND
SP000354798
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD096N08N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
SP000474196
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD105N04LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD105N04LGBTMA1TR-ND
别名：IPD105N04L G
IPD105N04L G-ND
SP000354796
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12CN10NGBUMA1
仓库库存编号：
IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
别名：IPD12CN10N G
IPD12CN10N G-ND
SP000096476
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12CNE8N G
仓库库存编号：
IPD12CNE8N G-ND
别名：SP000096477
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD135N08N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD135N08N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD135N08N3 G
IPD135N08N3 G-ND
SP000454266
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD14N06S280ATMA1
仓库库存编号：
IPD14N06S280ATMA1TR-ND
别名：IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80-ND
SP000252161
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD15N06S2L64ATMA1
仓库库存编号：
IPD15N06S2L64ATMA1TR-ND
别名：IPD15N06S2L-64
IPD15N06S2L-64-ND
SP000252162
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD160N04LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD160N04LGBTMA1TR-ND
别名：IPD160N04L G
IPD160N04L G-ND
SP000387933
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD16CN10N G
仓库库存编号：
IPD16CN10N G-ND
别名：SP000096454
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD16CNE8N G
仓库库存编号：
IPD16CNE8N G-ND
别名：SP000096455
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