产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
2N7002 L6327
仓库库存编号:
2N7002 L6327-ND
别名:2N7002L6327HTSA1
SP000408440
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC152N10NSFGATMA1
仓库库存编号:
BSC152N10NSFGATMA1TR-ND
别名:BSC152N10NSF G
BSC152N10NSF G-ND
SP000379601
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),63A(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF045N03MQ3 G
仓库库存编号:
BSF045N03MQ3 G-ND
别名:SP000458790
SP000597844
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 980mA(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP321PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP321PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSP321P L6327
BSP321P L6327-ND
SP000212228
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 1A(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP322PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP322PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSP322P L6327
BSP322P L6327-ND
SP000212229
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 620mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR315PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSR315PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSR315P L6327
BSR315P L6327-ND
SP000265405
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 360mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR316PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSR316PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSR316P L6327
BSR316P L6327-ND
SP000265407
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 140mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR92PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSR92PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSR92P L6327
BSR92P L6327-ND
SP000265408
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS126L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS126L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS126 L6327
BSS126 L6327-ND
SP000247303
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS126L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS126L6906HTSA1TR-ND
别名:BSS126 L6906
BSS126 L6906-ND
SP000247304
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS127L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS127L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS127 L6327
BSS127 L6327-ND
SP000247305
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138W L6327
仓库库存编号:
BSS138W L6327-ND
别名:SP000245411
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138W L6433
仓库库存编号:
BSS138W L6433-ND
别名:SP000245412
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS139L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS139 L6327
BSS139 L6327-ND
SP000247295
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS139L6906HTSA1TR-ND
别名:BSS139 L6906
BSS139 L6906-ND
SP000247296
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS159NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS159N L6327
BSS159N L6327-ND
SP000247297
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS169L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS169 L6327
BSS169 L6327-ND
SP000247299
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.3A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS306NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS306NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS306N L6327
BSS306N L6327-ND
SP000442400
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS308PEL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS308PEL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS308PE L6327
BSS308PE L6327-ND
SP000442474
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.4A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS316NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS316NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS316N L6327
BSS316N L6327-ND
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产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 540mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS670S2LL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS670S2LL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS670S2L L6327
BSS670S2L L6327-ND
SP000247301
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS7728NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS7728NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS7728N L6327
BSS7728N L6327-ND
SP000247302
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 150mA(Ta) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS84PW L6327
仓库库存编号:
BSS84PW L6327-ND
别名:SP000247312
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 30W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R520CPXKSA1-ND
别名:IPA60R520CP
IPA60R520CP-ND
SP000405856
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600CPXKSA1-ND
别名:IPA60R600CP
IPA60R600CP-ND
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