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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB120N06N G
  仓库库存编号：IPB120N06NGINCT-ND
  别名：IPB120N06NG
  IPB120N06NGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO263-3
  
  型号：IPB13N03LB G
  仓库库存编号：IPB13N03LBGINCT-ND
  别名：IPB13N03LBG
  IPB13N03LBGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 45A（Tc） 65W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB45N06S3-16
  仓库库存编号：IPB45N06S3-16INCT-ND
  别名：IPB45N06S3-16INCT
  IPB45N06S316
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPBH6N03LA G
  仓库库存编号：IPBH6N03LAGINCT-ND
  别名：IPBH6N03LAG
  IPBH6N03LAGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD03N03LB G
  仓库库存编号：IPD03N03LBGINCT-ND
  别名：IPD03N03LBG
  IPD03N03LBGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12N03LB G
  仓库库存编号：IPD12N03LBGINCT-ND
  别名：IPD12N03LBG
  IPD12N03LBGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD144N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD144N06NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD144N06NG
  IPD144N06NGINCT
  IPD144N06NGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD640N06LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD640N06LGBTMA1CT-ND
  别名：IPD640N06LGINCT
  IPD640N06LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD800N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD800N06NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD800N06NG
  IPD800N06NGINCT
  IPD800N06NGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：SN7002W E6327
  仓库库存编号：SN7002WE6327INCT-ND
  别名：SN7002WE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB03N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB03N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB03N60S5INCT
  SPB03N60S5INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB04N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB04N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB04N60S5INCT
  SPB04N60S5INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB07N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB07N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB07N60S5INCT
  SPB07N60S5INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10L G
  仓库库存编号：SPB10N10LGINCT-ND
  别名：SPB10N10LG
  SPB10N10LGINCT
  
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  MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB11N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB11N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB11N60S5INCT
  SPB11N60S5INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB20N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB20N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB20N60S5INCT
  SPB20N60S5INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N10L G
  仓库库存编号：SPB80N10LGINCT-ND
  别名：SPB80N10LG
  SPB80N10LGINCT
  
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  MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD01N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD01N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD01N60C3INCT
  SPD01N60C3INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N60S5BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N60S5INCT
  SPD02N60S5INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N80C3INCT
  SPD02N80C3INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD03N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD03N60S5BTMA1CT-ND
  别名：SPD03N60S5INCT
  SPD03N60S5INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N60S5
  仓库库存编号：SPD04N60S5INCT-ND
  别名：SPD04N60S5INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 800V 4A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N80C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD04N80C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD04N80C3INCT
  SPD04N80C3INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N20
  仓库库存编号：SPD07N20INCT-ND
  别名：SPD07N20INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGINCT-ND
  别名：SPD08P06PGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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