产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP297L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP297L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP297L6327
BSP297L6327INCT
BSP297L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP315PL6327
BSP315PL6327INCT
BSP315PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP316PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP316PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP316PL6327
BSP316PL6327INCT
BSP316PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP317PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP317PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP317PL6327
BSP317PL6327INCT
BSP317PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP373L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP373L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP373L6327INCT
BSP373L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP613PL6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP613PL6327HUSA1CT-ND
别名：BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP89L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP89L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP89L6327
BSP89L6327INCT
BSP89L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 260mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP92PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP92PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP92PL6327
BSP92PL6327INCT
BSP92PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS123L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS123L6327HTSA1CT-ND
别名：BSS123L6327
BSS123L6327INCT
BSS123L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS138NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS138NL6327
BSS138NL6327INCT
BSS138NL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W E6327
仓库库存编号：
BSS138WE6327INCT-ND
别名：BSS138WE6327
BSS138WE6327INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS192PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS192PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS192PL6327
BSS192PL6327INCT
BSS192PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS7728N
仓库库存编号：
BSS7728NINCT-ND
别名：BSS7728NINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS84PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS84PL6327
BSS84PL6327INCT
BSS84PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS84PW
仓库库存编号：
BSS84PWINCT-ND
别名：BSS84PWINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS87L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS87L6327HTSA1CT-ND
别名：BSS87L6327
BSS87L6327INCT
BSS87L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB03N03LA G
仓库库存编号：
IPB03N03LAGINCT-ND
别名：IPB03N03LAG
IPB03N03LAGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB048N06LGATMA1
仓库库存编号：
IPB048N06LGATMA1CT-ND
别名：IPB048N06LG
IPB048N06LGINCT
IPB048N06LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB04N03LA G
仓库库存编号：
IPB04N03LAGINCT-ND
别名：IPB04N03LAG
IPB04N03LAGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB050N06NGATMA1
仓库库存编号：
IPB050N06NGATMA1CT-ND
别名：IPB050N06NG
IPB050N06NGINCT
IPB050N06NGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB05N03LB G
仓库库存编号：
IPB05N03LBGINCT-ND
别名：IPB05N03LBG
IPB05N03LBGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB070N06L G
仓库库存编号：
IPB070N06LGINCT-ND
别名：IPB070N06LG
IPB070N06LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB085N06L G
仓库库存编号：
IPB085N06LGINCT-ND
别名：IPB085N06LG
IPB085N06LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S3-04
仓库库存编号：
IPB100N06S3-04INCT-ND
别名：IPB100N06S3-04INCT
IPB100N06S304
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 78A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB110N06L G
仓库库存编号：
IPB110N06LGINCT-ND
别名：IPB110N06LG
IPB110N06LGINCT
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