产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(14495)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(14495)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(538)
Diodes Incorporated(673)
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1342)
Infineon Technologies(4378)
IXYS(1103)
IXYS Integrated Circuits Division(5)
Micro Commercial Co(18)
Microchip Technology(141)
Microsemi Corporation(204)
Nexperia USA Inc.(591)
NXP USA Inc.(247)
ON Semiconductor(1298)
Panasonic Electronic Components(31)
Renesas Electronics America(232)
Rohm Semiconductor(263)
Sanken(85)
STMicroelectronics(588)
Taiwan Semiconductor Corporation(268)
Texas Instruments(99)
Torex Semiconductor Ltd(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(304)
Vishay Semiconductor Diodes Division(9)
Vishay Siliconix(2072)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2-08
仓库库存编号：
SPI80N06S2-08-ND
别名：SP000013911
SPI80N06S208
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2L-05
仓库库存编号：
SPI80N06S2L-05-ND
别名：SP000016360
SPI80N06S2L05
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2L-11
仓库库存编号：
SPI80N06S2L-11-ND
别名：SP000029960
SPI80N06S2L11
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N08S2-07
仓库库存编号：
SPI80N08S2-07-ND
别名：SP000013954
SPI80N08S207
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N08S2-07R
仓库库存编号：
SPI80N08S2-07R-ND
别名：SP000013717
SPI80N08S207R
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N10L
仓库库存编号：
SPI80N10L-ND
别名：SP000014351
SPI80N10LX
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 300mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN01N60C3
仓库库存编号：
SPN01N60C3-ND
别名：SP000012411
SPN01N60C3T
SPN01N60C3XT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60C3
仓库库存编号：
SPN02N60C3-ND
别名：SP000101878
SPN02N60C3XT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60C3 E6433
仓库库存编号：
SPN02N60C3 E6433-ND
别名：SP000101883
SPN02N60C3E6433XT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN02N60S5
仓库库存编号：
SPN02N60S5-ND
别名：SP000012412
SP000101880
SPN02N60S5T
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN03N60C3
仓库库存编号：
SPN03N60C3-ND
别名：SP000014455
SP000101879
SPN03N60C3T
SPN03N60C3XT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN03N60S5
仓库库存编号：
SPN03N60S5-ND
别名：SP000012413
SP000101881
SPN03N60S5T
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 800mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN04N60S5
仓库库存编号：
SPN04N60S5-ND
别名：SP000012414
SP000101882
SPN04N60S5T
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP02N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP02N60S5HKSA1-ND
别名：SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5
SPP02N60S5-ND
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5IN-ND
SPP02N60S5X
SPP02N60S5XK
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP04N60S5BKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60S5BKSA1-ND
别名：SP000012363
SP000681026
SPP04N60S5
SPP04N60S5-ND
SPP04N60S5IN
SPP04N60S5IN-ND
SPP04N60S5X
SPP04N60S5XK
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP07N65C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP07N65C3HKSA1-ND
别名：SP000014631
SPP07N65C3
SPP07N65C3-ND
SPP07N65C3IN
SPP07N65C3IN-ND
SPP07N65C3X
SPP07N65C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N04S2-04
仓库库存编号：
SPP100N04S2-04-ND
别名：SP000013718
SPP100N04S204
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N04S2L-03
仓库库存编号：
SPP100N04S2L-03-ND
别名：SP000013719
SPP100N04S2L03
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N06S2-05
仓库库存编号：
SPP100N06S2-05-ND
别名：SP000013720
SPP100N06S205
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N06S2L-05
仓库库存编号：
SPP100N06S2L-05-ND
别名：SP000013721
SPP100N06S2L05
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N08S2-07
仓库库存编号：
SPP100N08S2-07-ND
别名：SP000013722
SPP100N08S207
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N08S2L-07
仓库库存编号：
SPP100N08S2L-07-ND
别名：SP000013723
SPP100N08S2L07
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP10N10
仓库库存编号：
SPP10N10-ND
别名：SP000013844
SPP10N10X
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP10N10L
仓库库存编号：
SPP10N10L-ND
别名：SP000013849
SPP10N10LX
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPP11N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000681042
SPP11N60CFD
SPP11N60CFD-ND
SPP11N60CFDIN
SPP11N60CFDIN-ND
SPP11N60CFDX
SPP11N60CFDXK
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
539
540
541
542
543
544
545
546
547
548
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
