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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-09
  仓库库存编号：SPB80N06S2-09-ND
  别名：SP000013581
  SPB80N06S209T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-H5
  仓库库存编号：SPB80N06S2-H5-ND
  别名：SP000013795
  SPB80N06S2H5T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-05
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-05-ND
  别名：SP000016352
  SPB80N06S2L05T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-06
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-06-ND
  别名：SP000013577
  SPB80N06S2L06T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-07
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-07-ND
  别名：SP000016357
  SPB80N06S2L07T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-09
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-09-ND
  别名：SP000013582
  SPB80N06S2L09T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-11
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-11-ND
  别名：SP000013586
  SPB80N06S2L11T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-H5
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-H5-ND
  别名：SP000013796
  SPB80N06S2LH5T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N08S2-07
  仓库库存编号：SPB80N08S2-07-ND
  别名：SP000016355
  SPB80N08S207T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N08S2L-07
  仓库库存编号：SPB80N08S2L-07-ND
  别名：SP000016359
  SPB80N08S2L07T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N10L
  仓库库存编号：SPB80N10L-ND
  别名：SP000014350
  SPB80N10LT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 80A（Tc） 340W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80P06P
  仓库库存编号：SPB80P06P-ND
  别名：SP000012841
  SPB80P06PT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 30W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD14N06S2-80
  仓库库存编号：SPD14N06S2-80-ND
  别名：SP000013575
  SPD14N06S280T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 47W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD15N06S2L-64
  仓库库存编号：SPD15N06S2L-64-ND
  别名：SP000013573
  SPD15N06S2L64T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 25A（Tc） 75W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD22N08S2L-50
  仓库库存编号：SPD22N08S2L-50-ND
  别名：SP000013910
  SPD22N08S2L50T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD25N06S2-40
  仓库库存编号：SPD25N06S2-40-ND
  别名：SP000013572
  SPD25N06S240T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD26N06S2L-35
  仓库库存编号：SPD26N06S2L-35-ND
  别名：SP000013570
  SPD26N06S2L35T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2-15
  仓库库存编号：SPD30N06S2-15-ND
  别名：SP000012477
  SPD30N06S215T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2-23
  仓库库存编号：SPD30N06S2-23-ND
  别名：SP000013596
  SPD30N06S223T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
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  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2L-13
  仓库库存编号：SPD30N06S2L-13-ND
  别名：SP000012478
  SPD30N06S2L13T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2L-23
  仓库库存编号：SPD30N06S2L-23-ND
  别名：SP000013127
  SPD30N06S2L23T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N08S2-22
  仓库库存编号：SPD30N08S2-22-ND
  别名：SP000013153
  SPD30N08S222T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N08S2L-21
  仓库库存编号：SPD30N08S2L-21-ND
  别名：SP000013152
  SPD30N08S2L21T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
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  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2-07
  仓库库存编号：SPD50N03S2-07-ND
  别名：SP000016253
  SP000077579
  SPD50N03S207XT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD50N06S2L-13
  仓库库存编号：SPD50N06S2L-13-ND
  别名：SP000013568
  SPD50N06S2L13T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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