以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：SPB160N04S2L03DTMA1
  仓库库存编号：SPB160N04S2L03DTMA1TR-ND
  别名：SP000014639
  SPB160N04S2L-03
  SPB160N04S2L-03-ND
  SPB160N04S2L03T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO263-3
  
  型号：SPB18P06P
  仓库库存编号：SPB18P06P-ND
  别名：SP000012329
  SPB18P06PT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB21N10 G
  仓库库存编号：SPB21N10 G-ND
  别名：SP000102171
  SPB21N10GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10 G
  仓库库存编号：SPB35N10 G-ND
  别名：SP000102172
  SPB35N10GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB42N03S2L-13 G
  仓库库存编号：SPB42N03S2L-13 G-ND
  别名：SP000200137
  SPB42N03S2L13GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB47N10
  仓库库存编号：SPB47N10-ND
  别名：SP000012327
  SPB47N10T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB47N10L
  仓库库存编号：SPB47N10L-ND
  别名：SP000012078
  SPB47N10LT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB70N10L
  仓库库存编号：SPB70N10L-ND
  别名：SP000012079
  SPB70N10LT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L-08 G
  仓库库存编号：SPB73N03S2L-08 G-ND
  别名：SP000200138
  SPB73N03S2L08GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB77N06S2-12
  仓库库存编号：SPB77N06S2-12-ND
  别名：SP000013587
  SPB77N06S212T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2-03
  仓库库存编号：SPB80N03S2-03-ND
  别名：SP000016251
  SPB80N03S203T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S203GATMA1
  仓库库存编号：SPB80N03S203GATMA1TR-ND
  别名：SP000200139
  SPB80N03S2-03 G
  SPB80N03S2-03 G-ND
  SPB80N03S203GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-03
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-03-ND
  别名：SP000016252
  SPB80N03S2L03T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-03 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-03 G-ND
  别名：SP000200142
  SPB80N03S2L03GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-04
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-04-ND
  别名：SP000013901
  SPB80N03S2L04T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-04 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-04 G-ND
  别名：SP000200143
  SPB80N03S2L04GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-05 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-05 G-ND
  别名：SP000200144
  SPB80N03S2L05GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-06 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-06 G-ND
  别名：SP000200145
  SPB80N03S2L06GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N04S2-04
  仓库库存编号：SPB80N04S2-04-ND
  别名：SP000016353
  SPB80N04S204T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N04S2-H4
  仓库库存编号：SPB80N04S2-H4-ND
  别名：SP000016358
  SPB80N04S2H4T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N04S2L-03
  仓库库存编号：SPB80N04S2L-03-ND
  别名：SP000016354
  SPB80N04S2L03T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S08ATMA1
  仓库库存编号：SPB80N06S08ATMA1TR-ND
  别名：SP000054056
  SP000084808
  SPB80N06S-08
  SPB80N06S-08-ND
  SPB80N06S08
  SPB80N06S08T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-05
  仓库库存编号：SPB80N06S2-05-ND
  别名：SP000016351
  SPB80N06S205T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-07
  仓库库存编号：SPB80N06S2-07-ND
  别名：SP000013578
  SPB80N06S207T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-08
  仓库库存编号：SPB80N06S2-08-ND
  别名：SP000016356
  SPB80N06S208T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索