产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5-3
型号：
BTS244ZNKSA1
仓库库存编号：
BTS244ZNKSA1-ND
别名：BTS244Z
BTS244Z-ND
BTS244ZNK
SP000012177
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） P-TO220-5
型号：
BTS244Z E3043
仓库库存编号：
BTS244Z E3043-ND
别名：BTS244ZE3043
BTS244ZE3043AKSA1
BTS244ZE3043NK
SP000012178
SP000399006
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5-62
型号：
BTS244Z E3062A
仓库库存编号：
BTS244Z E3062A-ND
别名：BTS244ZE3062AATMA1
BTS244ZE3062ANT
BTS244ZE3062AT
SP000012180
SP000399004
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） PG-TO220-5-3
型号：
BTS247ZAKSA1
仓库库存编号：
BTS247ZAKSA1-ND
别名：BTS247Z
BTS247Z-ND
BTS247ZNK
SP000012184
SP000468058
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） P-TO220-5
型号：
BTS247ZE3043AKSA1
仓库库存编号：
BTS247ZE3043AKSA1-ND
别名：BTS247Z E3043
BTS247Z E3043-ND
BTS247ZE3043
BTS247ZE3043NK
SP000012185
SP000399008
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述：通孔 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7
型号：
BTS282ZAKSA1
仓库库存编号：
BTS282ZAKSA1-ND
别名：BTS282Z
BTS282Z-ND
BTS282ZXK
SP000399016
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述：通孔 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7-230
型号：
BTS282Z E3230
仓库库存编号：
BTS282Z E3230-ND
别名：BTS282ZE3230
BTS282ZE3230AKSA1
BTS282ZE3230NK
SP000012357
SP000457996
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ30A E3045A
仓库库存编号：
BUZ30A E3045A-ND
别名：BUZ30AE3045AT
SP000011337
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ31
仓库库存编号：
BUZ31IN-ND
别名：BUZ31-ND
BUZ31IN
BUZ31X
BUZ31XK
SP000011341
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） TO-263
型号：
BUZ31 E3045A
仓库库存编号：
BUZ31 E3045A-ND
别名：BUZ31E3045AT
SP000011343
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ31 E3046
仓库库存编号：
BUZ31 E3046-ND
别名：BUZ31E3046X
BUZ31E3046XK
SP000011344
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ31L
仓库库存编号：
BUZ31LIN-ND
别名：BUZ31L-ND
BUZ31LIN
BUZ31LX
BUZ31LXK
SP000011342
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
BUZ31L E3044A
仓库库存编号：
BUZ31L E3044A-ND
别名：BUZ31LE3044ANT
BUZ31LE3044AT
SP000011961
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ32
仓库库存编号：
BUZ32IN-ND
别名：BUZ32-ND
BUZ32IN
BUZ32X
BUZ32XK
SP000011345
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
型号：
BUZ32 E3045A
仓库库存编号：
BUZ32 E3045A-ND
别名：BUZ32E3045AT
SP000011346
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ32H3045AATMA1
仓库库存编号：
BUZ32H3045AATMA1-ND
别名：BUZ32 H3045A
BUZ32 L3045A
BUZ32 L3045A-ND
BUZ32H3045AIN
BUZ32H3045AIN-ND
BUZ32L3045AIN
BUZ32L3045AIN-ND
BUZ32L3045AXT
SP000102174
SP000736086
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73E3046XK
仓库库存编号：
BUZ73E3046XK-ND
别名：BUZ73 E3046
BUZ73 E3046-ND
BUZ73E3046X
SP000011963
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73A
仓库库存编号：
BUZ73AIN-ND
别名：BUZ73A-ND
BUZ73AIN
BUZ73AX
BUZ73AXK
SP000011373
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73AE3046XK
仓库库存编号：
BUZ73AE3046XK-ND
别名：BUZ73A E3046
BUZ73A E3046-ND
BUZ73AE3046X
SP000011962
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73AL
仓库库存编号：
BUZ73ALIN-ND
别名：BUZ73AL-ND
BUZ73ALIN
BUZ73ALX
BUZ73ALXK
SP000011375
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73L
仓库库存编号：
BUZ73LIN-ND
别名：BUZ73L-ND
BUZ73LIN
BUZ73LX
BUZ73LXK
SP000011374
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB03N03LA
仓库库存编号：
IPB03N03LA-ND
别名：IPB03N03LAT
SP000014034
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB03N03LB
仓库库存编号：
IPB03N03LB-ND
别名：IPB03N03LBT
SP000074722
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB04N03LB
仓库库存编号：
IPB04N03LB-ND
别名：IPB04N03LBT
SP000064219
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB04N03LB G
仓库库存编号：
IPB04N03LB G-ND
别名：IPB04N03LBGXT
SP000103301
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无铅
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