以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP171PE6327T
  仓库库存编号：BSP171PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP171PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP295E6327T
  仓库库存编号：BSP295XTINCT-ND
  别名：BSP295XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315PE6327T
  仓库库存编号：BSP315PXTINCT-ND
  别名：BSP315PXTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PE6327T
  仓库库存编号：BSP316PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP316PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP317PE6327T
  仓库库存编号：BSP317PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP317PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.7W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP88L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP88L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP88L6327
  BSP88L6327INCT
  BSP88L6327INCT-ND
  BSP88XTINCT
  BSP88XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PE6327T
  仓库库存编号：BSS192PE6327XTINCT-ND
  别名：BSS192PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
  
  型号：BSS87E6327T
  仓库库存编号：BSS87XTINCT-ND
  别名：BSS87XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LAT
  仓库库存编号：IPB05N03LAXTINCT-ND
  别名：IPB05N03LAXTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB06N03LAT
  仓库库存编号：IPB06N03LAXTINCT-ND
  别名：IPB06N03LAXTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N50C3T
  仓库库存编号：SPD04N50C3XTINCT-ND
  别名：SPD04N50C3XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N60C3T
  仓库库存编号：SPD07N60C3XTINCT-ND
  别名：SPD07N60C3XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N60S5T
  仓库库存编号：SPD07N60S5XTINCT-ND
  别名：SPD07N60S5XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V
  
  型号：IRFL4310PBF
  仓库库存编号：IRFL4310PBFCT-ND
  别名：64-8037PBFCT
  64-8037PBFCT-ND
  648037PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS108,126
  仓库库存编号：BS108,126-ND
  别名：934003840126
  BS108 AMO
  BS108 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS108/01,126
  仓库库存编号：BS108/01,126-ND
  别名：934009850126
  BS108/01 AMO
  BS108/01 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 310mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN254,126
  仓库库存编号：BSN254,126-ND
  别名：934004930126
  BSN254 AMO
  BSN254 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 310mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN254A,126
  仓库库存编号：BSN254A,126-ND
  别名：934003960126
  BSN254A AMO
  BSN254A AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN304,126
  仓库库存编号：BSN304,126-ND
  别名：934023530126
  BSN304 AMO
  BSN304 AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET P-CH 300V 0.17A SOT54
  详细描述：通孔 P 沟道 300V 170mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSP304A,126
  仓库库存编号：BSP304A,126-ND
  别名：934030880126
  BSP304A AMO
  BSP304A AMO-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7505-30A,127
  仓库库存编号：BUK7505-30A,127-ND
  别名：934055405127
  BUK7505-30A
  BUK7505-30A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7511-55A,127
  仓库库存编号：BUK7511-55A,127-ND
  别名：934055877127
  BUK7511-55A
  BUK7511-55A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 73A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 73A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7514-55A,127
  仓库库存编号：568-9813-5-ND
  别名：568-9813-5
  934055646127
  BUK7514-55A
  BUK7514-55A,127-ND
  BUK7514-55A-ND
  BUK751455A127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 37A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 37A（Tc） 138W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7540-100A,127
  仓库库存编号：568-9794-5-ND
  别名：568-9794-5
  934056026127
  BUK7540-100A
  BUK7540-100A,127-ND
  BUK7540-100A-ND
  BUK7540100A127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7605-30A,118
  仓库库存编号：BUK7605-30A,118-ND
  别名：934055411118
  BUK7605-30A /T3
  BUK7605-30A /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索