产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),50A(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042N03ST
仓库库存编号:
BSC042N03ST-ND
别名:SP000014715
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta),89A(Tc) P-TDSON-8
型号:
BSC059N03ST
仓库库存编号:
BSC059N03ST-ND
别名:SP000014717
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.5A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL307SPT
仓库库存编号:
BSL307SPT-ND
别名:SP000012585
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB09N03LAT
仓库库存编号:
IPB09N03LAT-ND
别名:SP000016271
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB14N03LAT
仓库库存编号:
IPB14N03LAT-ND
别名:SP000016324
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L03T
仓库库存编号:
SPB100N03S2L03T-ND
别名:SP000013460
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N10T
仓库库存编号:
SPB21N10T-ND
别名:SP000013626
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB35N10T
仓库库存编号:
SPB35N10T-ND
别名:SP000013627
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L13T
仓库库存编号:
SPB42N03S2L13T-ND
别名:SP000016256
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB73N03S2L08T
仓库库存编号:
SPB73N03S2L08T-ND
别名:SP000016257
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L05T
仓库库存编号:
SPB80N03S2L05T-ND
别名:SP000016255
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L06T
仓库库存编号:
SPB80N03S2L06T-ND
别名:SP000016264
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-5
型号:
SPD100N03S2L04T
仓库库存编号:
SPD100N03S2L04T-ND
别名:SP000013966
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L07T
仓库库存编号:
SPD30N03S2L07T-ND
别名:SP000013749
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L10T
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10T-ND
别名:SP000016254
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2L03
仓库库存编号:
SPI100N03S2L03-ND
别名:SP000013491
SPI100N03S2L03X
SPI100N03S2L03X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S203
仓库库存编号:
SPP100N03S203-ND
别名:SP000013463
SPP100N03S203X
SPP100N03S203X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2L03
仓库库存编号:
SPP100N03S2L03-ND
别名:SP000013462
SPP100N03S2L03X
SPP100N03S2L03X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP42N03S2L13
仓库库存编号:
SPP42N03S2L-13TIN-ND
别名:SP000013464
SPP42N03S2L-13XTIN
SPP42N03S2L-13XTIN-ND
SPP42N03S2L13X
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4410T
仓库库存编号:
BSO4410XTINCT-ND
别名:BSO4410XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4420T
仓库库存编号:
BSO4420XTINCT-ND
别名:BSO4420XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4822T
仓库库存编号:
BSO4822XTINCT-ND
别名:BSO4822XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 370mA(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP123E6327T
仓库库存编号:
BSP123XTINCT-ND
别名:BSP123XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP129E6327T
仓库库存编号:
BSP129XTINCT-ND
别名:BSP129XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PE6327T
仓库库存编号:
BSP170PE6327XTINCT-ND
别名:BSP170PE6327XTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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