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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP12N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP12N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014459
  SPP12N50C3
  SPP12N50C3IN
  SPP12N50C3IN-ND
  SPP12N50C3X
  SPP12N50C3XK
  SPP12N50C3XTIN
  SPP12N50C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP04N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP04N60C3HKSA1-ND
  别名：SPP04N60C3
  SPP04N60C3IN
  SPP04N60C3IN-ND
  SPP04N60C3X
  SPP04N60C3XK
  SPP04N60C3XTIN
  SPP04N60C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
  
  型号：BSL307SP
  仓库库存编号：BSL307SPINTR-ND
  别名：BSL307SPINTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12.6A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO301SPNTMA1
  仓库库存编号：BSO301SPNTMA1CT-ND
  别名：BSO301SPINCT
  BSO301SPINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.9A（Ta） 2.35W（Ta） P-DSO-8
  
  型号：BSO303SPNTMA1
  仓库库存编号：BSO303SPINCT-ND
  别名：BSO303SPINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4410
  仓库库存编号：BSO4410INCT-ND
  别名：BSO4410INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4420
  仓库库存编号：BSO4420INCT-ND
  别名：BSO4420INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4822
  仓库库存编号：BSO4822INCT-ND
  别名：BSO4822INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PE6327
  仓库库存编号：BSP170PE6327INCT-ND
  别名：BSP170PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP171PE6327
  仓库库存编号：BSP171PE6327INCT-ND
  别名：BSP171PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PE6327
  仓库库存编号：BSP316PE6327INCT-ND
  别名：BSP316PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP317PE6327
  仓库库存编号：BSP317PE6327INCT-ND
  别名：BSP317PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PE6327
  仓库库存编号：BSS192PE6327INCT-ND
  别名：BSS192PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 540mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS670S2L
  仓库库存编号：BSS670S2LINCT-ND
  别名：BSS670S2LINCT
  BSS670S2LXTINCT
  BSS670S2LXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS83PE6327
  仓库库存编号：BSS83PE6327INCT-ND
  别名：BSS83PE6327INCT
  BSS83PE6327XTINCT
  BSS83PE6327XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LA
  仓库库存编号：IPB05N03LAINCT-ND
  别名：IPB05N03LAINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB06N03LA
  仓库库存编号：IPB06N03LAINCT-ND
  别名：IPB06N03LAINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB09N03LA
  仓库库存编号：IPB09N03LAINTR-ND
  别名：IPB09N03LAINTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB14N03LA
  仓库库存编号：IPB14N03LAINTR-ND
  别名：IPB14N03LAINTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD04N03LA G
  仓库库存编号：IPD04N03LAGINCT-ND
  别名：IPD04N03LAGINCT
  IPD04N03LAINCT
  IPD04N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD05N03LA G
  仓库库存编号：IPD05N03LAGINTR-ND
  别名：IPD05N03LA
  IPD05N03LAG
  IPD05N03LAGINTR
  IPD05N03LAGXT
  IPD05N03LAGXT-ND
  IPD05N03LAINTR
  IPD05N03LAINTR-ND
  SP000017599
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD06N03LA G
  仓库库存编号：IPD06N03LAGINCT-ND
  别名：IPD06N03LAGINCT
  IPD06N03LAGXTINCT
  IPD06N03LAGXTINCT-ND
  IPD06N03LAINCT
  IPD06N03LAINCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD09N03LA G
  仓库库存编号：IPD09N03LAGINCT-ND
  别名：IPD09N03LAGINCT
  IPD09N03LAGXTINCT
  IPD09N03LAGXTINCT-ND
  IPD09N03LAINCT
  IPD09N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD13N03LA G
  仓库库存编号：IPD13N03LAGINCT-ND
  别名：IPD13N03LAG
  IPD13N03LAGINCT
  IPD13N03LAGXTINCT
  IPD13N03LAGXTINCT-ND
  IPD13N03LAINCT
  IPD13N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPF05N03LA G
  仓库库存编号：IPF05N03LAGINCT-ND
  别名：IPF05N03LAG
  IPF05N03LAGINCT
  IPF05N03LAGXTINCT
  IPF05N03LAGXTINCT-ND
  IPF05N03LAINCT
  IPF05N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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