以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 11A（Ta），48A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MQ
  
  型号：IRF6602
  仓库库存编号：IRF6602CT-ND
  别名：IRF6602CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7-180
  
  型号：BTS282Z E3180A
  仓库库存编号：BTS282ZE3180AINCT-ND
  别名：BTS282ZE3180AINCT
  BTS282ZE3180ATINCT
  BTS282ZE3180ATINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 174A（Tc） 330W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRFBA1405P
  仓库库存编号：IRFBA1405P-ND
  别名：*IRFBA1405P
  Q1429145
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 31A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3410
  仓库库存编号：IRFU3410-ND
  别名：*IRFU3410
  Q1434118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 174A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1302S
  仓库库存编号：IRF1302S-ND
  别名：*IRF1302S
  Q1432949
  SP001569922
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF2804
  仓库库存编号：IRF2804-ND
  别名：*IRF2804
  SP001569996
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 65A（Tc） 75W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU7821
  仓库库存编号：IRLU7821-ND
  别名：*IRLU7821
  Q1500049
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7821TR
  仓库库存编号：IRF7821TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 56A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3707Z
  仓库库存编号：IRFR3707Z-ND
  别名：*IRFR3707Z
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833TR
  仓库库存编号：IRLR7833TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833TRL
  仓库库存编号：IRLR7833TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833TRR
  仓库库存编号：IRLR7833TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 94A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8113
  仓库库存编号：IRLR8113-ND
  别名：*IRLR8113
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 94A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8113TR
  仓库库存编号：IRLR8113TR-ND
  别名：SP001558970
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7492TR
  仓库库存编号：IRF7492TRTR-ND
  别名：IRF7492TRTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7492
  仓库库存编号：IRF7492-ND
  别名：*IRF7492
  SP001559928
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2L-03
  仓库库存编号：SPI100N03S2L-03-ND
  别名：Q1620887
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5.2A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7494TR
  仓库库存编号：IRF7494TRCT-ND
  别名：*IRF7494TR
  IRF7494TRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU09P06PL
  仓库库存编号：SPU09P06PLIN-ND
  别名：SP000012876
  SPU09P06PLIN
  SPU09P06PLX
  SPU09P06PLXTIN
  SPU09P06PLXTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI04N03LA
  仓库库存编号：IPI04N03LAIN-ND
  别名：IPI04N03LAIN
  IPI04N03LAX
  IPI04N03LAX-ND
  SP000014355
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP35N10
  仓库库存编号：SPP35N10IN-ND
  别名：SP000013851
  SPP35N10IN
  SPP35N10X
  SPP35N10XTIN
  SPP35N10XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：SPA11N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA11N60C3IN-ND
  别名：SP000013664
  SPA11N60C3
  SPA11N60C3IN
  SPA11N60C3X
  SPA11N60C3XTIN
  SPA11N60C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 21A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP21N10
  仓库库存编号：SPP21N10IN-ND
  别名：SP000013842
  SPP21N10IN
  SPP21N10X
  SPP21N10XTIN
  SPP21N10XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP42N03S2L-13
  仓库库存编号：SPP42N03S2L-13IN-ND
  别名：SPP42N03S2L-13IN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP73N03S2L08XK
  仓库库存编号：SPP73N03S2L08XK-ND
  别名：SP000013465
  SPP73N03S2L-08
  SPP73N03S2L-08IN
  SPP73N03S2L-08IN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 含铅
• 搜索