产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ30A
仓库库存编号：
BUZ30AIN-ND
别名：BUZ30AIN
BUZ30AX
BUZ30AXK
BUZ30AXTIN
BUZ30AXTIN-ND
SP000011336
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ73
仓库库存编号：
BUZ73IN-ND
别名：BUZ73IN
BUZ73X
BUZ73XK
BUZ73XTIN
BUZ73XTIN-ND
SP000011372
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
BUZ80A
仓库库存编号：
BUZ80AIN-ND
别名：BUZ80AIN
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名：SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP07N60S5
仓库库存编号：
SPP07N60S5IN-ND
别名：SPP07N60S5BKSA1
SPP07N60S5IN
SPP07N60S5X
SPP07N60S5XTIN
SPP07N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP08P06PBKSA1
仓库库存编号：
SPP08P06PBKSA1-ND
别名：SP000012085
SPP08P06P
SPP08P06PIN
SPP08P06PIN-ND
SPP08P06PX
SPP08P06PXK
SPP08P06PXTIN
SPP08P06PXTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N60S5HKSA1
仓库库存编号：
SPP11N60S5HKSA1-ND
别名：SPP11N60S5
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5IN-ND
SPP11N60S5X
SPP11N60S5XTIN
SPP11N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO-220-3
型号：
SPP18P06PHKSA1
仓库库存编号：
SPP18P06PHKSA1-ND
别名：SP000012300
SPP18P06P
SPP18P06PIN
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PX
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PXTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N60S5
仓库库存编号：
SPP20N60S5IN-ND
别名：SPP20N60S5BKSA1
SPP20N60S5IN
SPP20N60S5X
SPP20N60S5XTIN
SPP20N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW20N60S5FKSA1
仓库库存编号：
SPW20N60S5FKSA1-ND
别名：SPW20N60S5
SPW20N60S5IN
SPW20N60S5IN-ND
SPW20N60S5X
SPW20N60S5XTIN
SPW20N60S5XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS119E6327
仓库库存编号：
BSS119INCT-ND
别名：BSS119INCT
BSS119XTINCT
BSS119XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 370mA（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP123L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP123L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP123INCT
BSP123INCT-ND
BSP123L6327INCT
BSP123L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP129E6327
仓库库存编号：
BSP129INCT-ND
别名：BSP129INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP295E6327
仓库库存编号：
BSP295INCT-ND
别名：BSP295INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP296E6327
仓库库存编号：
BSP296INCT-ND
别名：BSP296INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315P-E6327
仓库库存编号：
BSP315PINCT-ND
别名：BSP315PE6327
BSP315PINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.7W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP88E6327
仓库库存编号：
BSP88INCT-ND
别名：BSP88INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS123E6327
仓库库存编号：
BSS123INCT-ND
别名：BSS123INCT
BSS123XTINCT
BSS123XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 110mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS131E6327
仓库库存编号：
BSS131INCT-ND
别名：BSS131INCT
BSS131XTINCT
BSS131XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138N-E6327
仓库库存编号：
BSS138NEINCT-ND
别名：BSS138INCT
BSS138INCT-ND
BSS138NE6327
BSS138NEINCT
BSS138NEXTINCT
BSS138NEXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84P-E6327
仓库库存编号：
BSS84PINCT-ND
别名：BSS84PE6327
BSS84PINCT
BSS84PXTINCT
BSS84PXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
型号：
BSS87E6327
仓库库存编号：
BSS87INCT-ND
别名：BSS87INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N60S5
仓库库存编号：
SPD07N60S5INCT-ND
别名：SPD07N60S5INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 140A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU7833
仓库库存编号：
IRLU7833-ND
别名：*IRLU7833
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 26A（Ta），85A（Tc） 3.6W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MT
型号：
IRF6601
仓库库存编号：
IRF6601CT-ND
别名：IRF6601CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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