产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5505
仓库库存编号：
IRFR5505-ND
别名：*IRFR5505
SP001573284
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3303
仓库库存编号：
IRFU3303-ND
别名：*IRFU3303
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5305
仓库库存编号：
IRFU5305-ND
别名：*IRFU5305
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5505
仓库库存编号：
IRFU5505-ND
别名：*IRFU5505
SP001552454
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU9120N
仓库库存编号：
IRFU9120N-ND
别名：*IRFU9120N
SP001573590
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34NS
仓库库存编号：
IRFZ34NS-ND
别名：*IRFZ34NS
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34NSTRR
仓库库存编号：
IRFZ34NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 48A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44ESTRR
仓库库存编号：
IRFZ44ESTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ44NL
仓库库存编号：
IRFZ44NL-ND
别名：*IRFZ44NL
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ46NS
仓库库存编号：
IRFZ46NS-ND
别名：*IRFZ46NS
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 64A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
94-2989
仓库库存编号：
94-2989-ND
别名：*IRFZ48NS
IRFZ48NS
IRFZ48NS-ND
SP001518334
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 64A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48NSTRR
仓库库存编号：
IRFZ48NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） TO-262
型号：
IRL530NL
仓库库存编号：
IRL530NL-ND
别名：*IRL530NL
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRL
仓库库存编号：
IRL530NSTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRR
仓库库存编号：
IRL530NSTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4410DY
仓库库存编号：
SI4410DY-ND
别名：*SI4410DY
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4435DYTR
仓库库存编号：
SI4435DYTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4435DY
仓库库存编号：
SI4435DY-ND
别名：*SI4435DY
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7603TR
仓库库存编号：
IRF7603CT-ND
别名：*IRF7603TR
IRF7603
IRF7603CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2803TR
仓库库存编号：
IRLML2803CT-ND
别名：*IRLML2803TR
IRLML2803
IRLML2803-ND
IRLML2803CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 760mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML5103TR
仓库库存编号：
IRLML5103CT-ND
别名：*IRLML5103TR
IRLML5103
IRLML5103-ND
IRLML5103CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRLMS1503TR
仓库库存编号：
IRLMS1503CT-ND
别名：*IRLMS1503TR
IRLMS1503
IRLMS1503CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF5305STRR
仓库库存编号：
IRF5305STRR-ND
别名：Q971401A
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 162A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
94-2110
仓库库存编号：
94-2110-ND
别名：*IRF1404S
IRF1404S
IRF1404S-ND
SP001521470
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3707S
仓库库存编号：
IRF3707S-ND
别名：*IRF3707S
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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