产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660-E3
仓库库存编号：
2N6660-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTVP02
仓库库存编号：
2N6660JTVP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTX02
仓库库存编号：
2N6660JTX02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTXL02
仓库库存编号：
2N6660JTXL02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTXP02
仓库库存编号：
2N6660JTXP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
2N6660JTXV02
仓库库存编号：
2N6660JTXV02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661
仓库库存编号：
2N6661-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661-2
仓库库存编号：
2N6661-2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661-E3
仓库库存编号：
2N6661-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JAN02
仓库库存编号：
2N6661JAN02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTVP02
仓库库存编号：
2N6661JTVP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTX02
仓库库存编号：
2N6661JTX02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTXL02
仓库库存编号：
2N6661JTXL02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTXP02
仓库库存编号：
2N6661JTXP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTXV02
仓库库存编号：
2N6661JTXV02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 800mA（Tc） 1W（Tc） 4-HVMDIP
型号：
IRFD113
仓库库存编号：
IRFD113-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
型号：
SI4752DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4752DY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 227W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW23N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHW23N60E-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 650V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW47N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHW47N65E-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR482DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR482DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR814DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR814DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS330DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS330DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 3.8W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS334DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS334DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS448DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS448DN-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 10W（Ta），83W（Tc） TO-252
型号：
SUD50N03-06AP-T4E3
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SUD50N03-06AP-T4E3-ND
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