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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.2W（Ta），147W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N04VUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N04VUK-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 90A（Tc） 1.8W（Ta），176W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP90N055MUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP90N055MUK-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 90A（Tc） 1.8W（Ta），176W（Tc） TO-262-3
  
  型号：NP90N055NUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP90N055NUK-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 110A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 110A（Ta） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0601DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0601DPN-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 25A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Ta） 50W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0658DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0658DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 30A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 55W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0659DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0659DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 40A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 40A（Ta） 65W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0660DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0660DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 16A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：UPA2735GR-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2735GR-E1-AT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：UPA2736GR-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2736GR-E1-AT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：UPA2738GR-E1-AT
  仓库库存编号：UPA2738GR-E1-AT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2392DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2392DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2392DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 625mW（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXM62P03E6TC
  仓库库存编号：ZXM62P03E6TCDI-ND
  别名：ZXM62P03E6TCDI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.3A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMP3F35N8TA
  仓库库存编号：ZXMP3F35N8TADI-ND
  别名：ZXMP3F35N8TADI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMP3F36N8TA
  仓库库存编号：ZXMP3F36N8TADI-ND
  别名：ZXMP3F36N8TADI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.4A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMP3F37N8TA
  仓库库存编号：ZXMP3F37N8TADI-ND
  别名：ZXMP3F37N8TADI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3J14TTE85LF
  仓库库存编号：SSM3J14TTE85LFCT-ND
  别名：SSM3J14TTE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.5A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K318T,LF
  仓库库存编号：SSM3K318TLFCT-ND
  别名：SSM3K318TLFCT
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 38A（Tc） 278W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT38N60SC6
  仓库库存编号：APT38N60SC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6756
  仓库库存编号：JAN2N6756-ND
  别名：JAN2N6756-MIL
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6758
  仓库库存编号：JAN2N6758-ND
  别名：JAN2N6758-MIL
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6760
  仓库库存编号：JAN2N6760-ND
  别名：JAN2N6760-MIL
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6762
  仓库库存编号：JAN2N6762-ND
  别名：JAN2N6762-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc）
  
  型号：JAN2N6764
  仓库库存编号：JAN2N6764-ND
  别名：JAN2N6764-MIL
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N6764T1
  仓库库存编号：JAN2N6764T1-ND
  别名：JAN2N6764T1-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：JAN2N6766
  仓库库存编号：JAN2N6766-ND
  别名：JAN2N6766-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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