产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP110N055PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N055PUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 1.8W(Ta),348W(Tc) TO-263
型号:
NP110N055PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N055PUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 160A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 160A(Tc) 1.8W(Ta),250W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N055TUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N055TUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 1.8W(Ta),348W(Tc) TO-263-7
型号:
NP180N04TUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP180N04TUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 180A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 180A(Tc) 1.8W(Ta),348W(Tc) TO-263-7
型号:
NP180N055TUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP180N055TUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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MOSFET N-CH 100V 40A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP40N10PDF-E1-AY
仓库库存编号:
NP40N10PDF-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 1W(Ta),120W(Tc) 8-HSON
型号:
NP40N10YDF-E1-AY
仓库库存编号:
NP40N10YDF-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-220
型号:
NP60N04MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N04MUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-262-3
型号:
NP60N04NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N04NUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP60N04VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N04VUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-220
型号:
NP60N055MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N055MUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 55V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-262
型号:
NP60N055NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N055NUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 55V 60A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252-3
型号:
NP60N055VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N055VUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 30V 82A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 82A(Tc) 1.8W(Ta),143W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP82N03PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP82N03PUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 40V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP88N04KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N04KUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 89A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-220
型号:
NP89N04MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP89N04MUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 40V 89A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-262
型号:
NP89N04NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP89N04NUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-263
型号:
NP89N04PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP89N04PUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-220-3
型号:
NP89N055MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP89N055MUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-262
型号:
NP89N055NUK-S18-AY
仓库库存编号:
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MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-263-3
型号:
NP89N055PUK-E1-AY
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产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP90N03VHG-E1-AY
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MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
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型号:
NP90N03VLG-E1-AY
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MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),176W(Tc) TO-220
型号:
NP90N04MUK-S18-AY
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详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),176W(Tc) TO-262
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NP90N04NUK-S18-AY
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