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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 75V 88A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 88A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263
  
  型号：NP88N075KUE-E1-AY
  仓库库存编号：NP88N075KUE-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 75V 88A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 88A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP88N075MUE-S18-AY
  仓库库存编号：NP88N075MUE-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 90A TO-263
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），217W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP90N04MUG-S18-AY
  仓库库存编号：NP90N04MUG-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.7A（Tj） 545mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：PMN20EN,115
  仓库库存编号：568-8416-1-ND
  别名：568-8416-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100mA（Ta） 470mW（Ta） 3-X1DFN1006
  
  型号：DMN62D0LFB-7B
  仓库库存编号：DMN62D0LFB-7BDICT-ND
  别名：DMN62D0LFB-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50V 180mA（Ta） 470mW（Ta） 3-X1DFN1006
  
  型号：DMP58D0LFB-7B
  仓库库存编号：DMP58D0LFB-7BDICT-ND
  别名：DMP58D0LFB-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A25D,S5Q(M
  仓库库存编号：TK20A25DS5Q(M-ND
  别名：TK20A25D(Q)
  TK20A25D(Q)-ND
  TK20A25DQ
  TK20A25DS5Q(M
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） DPAK
  
  型号：TK40P03M1(T6RDS-Q)
  仓库库存编号：TK40P03M1(T6RDS-Q)-ND
  别名：TK40P03M1T6RDSQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Ta） 93W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK40S10K3Z(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK40S10K3Z(T6L1NQ-ND
  别名：TK40S10K3Z(T6L1NQ
  TK40S10K3ZT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 45A（Ta） DPAK
  
  型号：TK45P03M1,RQ(S
  仓库库存编号：TK45P03M1RQ(S-ND
  别名：TK45P03M1RQ(S
  TK45P03M1RQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.9A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6008-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6008-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6008-H(TE85LFM
  TPC6008HTE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 5.3A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6009-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6009-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6009-H(TE85LFM
  TPC6009HTE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6.1A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6010-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6010-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6010-H(TE85LFM
  TPC6010HTE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 30V 6A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6011(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6011(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6011(TE85LFM)
  TPC6011TE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8A05-H(TE12L,QM
  仓库库存编号：TPC8A05-H(TE12LQM-ND
  别名：TPC8A05-H(TE12LQM
  TPC8A05HTE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8A06-H(TE12LQM)
  仓库库存编号：TPC8A06-H(TE12LQM)-ND
  别名：TPC8A06HTE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 700mW（Ta），18W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8065-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8065-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8065-HLQ(S
  TPCC8065HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 700mW（Ta），17W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8066-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8066-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8066-HLQ(S
  TPCC8066HLQS
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 700mW（Ta），15W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8067-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8067-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8067-HLQ(S
  TPCC8067HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N04VUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N04VUG-E1-AYCT-ND
  别名：NP90N04VUG-E1-AYCT
  NP90N04VUGE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 110A（Tc） 1.5W（Ta），213W（Tc） TO-263
  
  型号：2SK3811-ZP-E1-AY
  仓库库存编号：2SK3811-ZP-E1-AYCT-ND
  别名：2SK3811-ZP-E1-AYCT
  2SK3811ZPE1AY
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100P04PLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP100P04PLG-E1-AYTR-ND
  别名：NP100P04PLG-E1-AY-ND
  NP100P04PLG-E1-AYTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 1.8W（Ta），250W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP160N055TUJ-E1-AY
  仓库库存编号：NP160N055TUJ-E1-AYCT-ND
  别名：NP160N055TUJ-E1-AYCT
  NP160N055TUJE1AY
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 180A（Tc） 1.8W（Ta），348W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP180N055TUJ-E1-AY
  仓库库存编号：NP180N055TUJ-E1-AYTR-ND
  别名：NP180N055TUJ-E1-AY-ND
  NP180N055TUJ-E1-AYTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Tc） 1W（Ta），60W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP23N06YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP23N06YDG-E1-AYTR-ND
  别名：NP23N06YDG-E1-AY-ND
  NP23N06YDG-E1-AYTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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