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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 5.5A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8010-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8010-H(TE12LQM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 40A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8012-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8012-H(TE12LQM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 30A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8018-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8018-H(TE12LQM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8021-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8021-H(TE12LQM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8023-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8023-H(TE12LQM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 24A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8031-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8031-H(TE12L,Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 40A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8102(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8102(TE12L,Q,M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 40A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8103(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8103(TE12L,Q,M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8A01-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8A01-H(TE12L,Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.2A（Ta） 1W（Ta），30W（Tc） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8001-H(TE85LFM
  仓库库存编号：TPCP8001-H(TE85LFM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.4A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP10N60C5M
  仓库库存编号：IXKP10N60C5M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 50A（Tc） 180W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC110N25T
  仓库库存编号：IXTC110N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 110A（Tc） 694W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV110N25TS
  仓库库存编号：IXTV110N25TS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 160A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXUC160N075
  仓库库存编号：IXUC160N075-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 P 沟道 150V 22A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC36P15P
  仓库库存编号：IXTC36P15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 102A（Tc） 455W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP102N15T
  仓库库存编号：IXTP102N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 75V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 90A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP90N075T2
  仓库库存编号：IXTP90N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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  MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 102A（Tc） 455W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ102N15T
  仓库库存编号：IXTQ102N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5435BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5435BDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5435BDC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6410DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6410DQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6410DQ-T1-GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6435ADQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6435ADQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6435ADQ-T1-GE3CT
  
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  MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6459BDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6459BDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6459BDQ-T1-GE3CT
  SI6459BDQT1GE3
  
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  MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6.3A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7120DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7120DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7120DN-T1-GE3CT
  
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  MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13A（Ta） 1.7W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7366DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7366DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7366DP-T1-GE3CT
  
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  MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7483ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7483ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7483ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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