产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(14495)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(14495)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(538)
Diodes Incorporated(673)
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1342)
Infineon Technologies(4378)
IXYS(1103)
IXYS Integrated Circuits Division(5)
Micro Commercial Co(18)
Microchip Technology(141)
Microsemi Corporation(204)
Nexperia USA Inc.(591)
NXP USA Inc.(247)
ON Semiconductor(1298)
Panasonic Electronic Components(31)
Renesas Electronics America(232)
Rohm Semiconductor(263)
Sanken(85)
STMicroelectronics(588)
Taiwan Semiconductor Corporation(268)
Texas Instruments(99)
Torex Semiconductor Ltd(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(304)
Vishay Semiconductor Diodes Division(9)
Vishay Siliconix(2072)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBE30S
仓库库存编号：
IRFBE30S-ND
别名：*IRFBE30S
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBE30STRL
仓库库存编号：
IRFBE30STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBE30STRR
仓库库存编号：
IRFBE30STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20STRL
仓库库存编号：
IRFBF20STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20STRR
仓库库存编号：
IRFBF20STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.6A（Tc） I2PAK
型号：
IRFBF30L
仓库库存编号：
IRFBF30L-ND
别名：*IRFBF30L
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30S
仓库库存编号：
IRFBF30S-ND
别名：*IRFBF30S
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30STRL
仓库库存编号：
IRFBF30STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30STRR
仓库库存编号：
IRFBF30STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 1.4A（Ta） I2PAK
型号：
IRFBG20L
仓库库存编号：
IRFBG20L-ND
别名：*IRFBG20L
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI520G
仓库库存编号：
IRFI520G-ND
别名：*IRFI520G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 5.5A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9520N
仓库库存编号：
IRFI9520N-ND
别名：*IRFI9520N
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 200V 2A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9610G
仓库库存编号：
IRFI9610G-ND
别名：*IRFI9610G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 60V 5.3A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9Z14G
仓库库存编号：
IRFI9Z14G-ND
别名：*IRFI9Z14G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ44G
仓库库存编号：
IRFIZ44G-ND
别名：*IRFIZ44G
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 790mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRFL214TR
仓库库存编号：
IRFL214TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR010
仓库库存编号：
IRFR010-ND
别名：*IRFR010
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR010TRL
仓库库存编号：
IRFR010TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR010TR
仓库库存编号：
IRFR010TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR010TRR
仓库库存编号：
IRFR010TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR014TRL
仓库库存编号：
IRFR014TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR014TRR
仓库库存编号：
IRFR014TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR020TRR
仓库库存编号：
IRFR020TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR024TRL
仓库库存编号：
IRFR024TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR024TRR
仓库库存编号：
IRFR024TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
380
381
382
383
384
385
386
387
388
389
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
