产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(14495)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(14495)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(538)
Diodes Incorporated(673)
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1342)
Infineon Technologies(4378)
IXYS(1103)
IXYS Integrated Circuits Division(5)
Micro Commercial Co(18)
Microchip Technology(141)
Microsemi Corporation(204)
Nexperia USA Inc.(591)
NXP USA Inc.(247)
ON Semiconductor(1298)
Panasonic Electronic Components(31)
Renesas Electronics America(232)
Rohm Semiconductor(263)
Sanken(85)
STMicroelectronics(588)
Taiwan Semiconductor Corporation(268)
Texas Instruments(99)
Torex Semiconductor Ltd(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(304)
Vishay Semiconductor Diodes Division(9)
Vishay Siliconix(2072)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH4530L,115
仓库库存编号：
568-2179-1-ND
别名：568-2179-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.4A（Tc） 280mW（Tj） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV45EN,215
仓库库存编号：
568-2356-1-ND
别名：568-2356-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 68A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 68A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH7030L,115
仓库库存编号：
568-2349-1-ND
别名：568-2349-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 84A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH4830L,115
仓库库存编号：
PH4830L,115-ND
别名：934061157115
PH4830L T/R
PH4830L T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 400V 90mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN0540A
仓库库存编号：
ZVN0540A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
型号：
ZXMN6A09KTC
仓库库存编号：
ZXMN6A09KTCCT-ND
别名：ZXMN6A09KTCCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.3A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
型号：
ZXMN3A02X8TA
仓库库存编号：
ZXMN3A02X8CT-ND
别名：ZXMN3A02X8CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.3A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
ZXMN3A02N8TA
仓库库存编号：
ZXMN3A02N8CT-ND
别名：ZXMN3A02N8CT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7506-75B,127
仓库库存编号：
568-6619-5-ND
别名：568-6619
568-6619-5
568-6619-ND
934057109127
BUK7506-75B
BUK7506-75B,127-ND
BUK7506-75B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
PHB101NQ04T,118
仓库库存编号：
568-2182-1-ND
别名：568-2182-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH5330E,115
仓库库存编号：
568-2348-1-ND
别名：568-2348-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.7A（Tc） 280mW（Tj） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV60EN,215
仓库库存编号：
568-2357-1-ND
别名：568-2357-1
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF510
仓库库存编号：
IRF510-ND
别名：*IRF510
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 100V 4A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9510
仓库库存编号：
IRF9510-ND
别名：*IRF9510
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 200V 560mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9220
仓库库存编号：
IRFD9220-ND
别名：*IRFD9220
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840
仓库库存编号：
IRF840IR-ND
别名：*IRF840
IRF840IR
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD110
仓库库存编号：
IRFD110-ND
别名：*IRFD110
IRFD111
IRFD112
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD210
仓库库存编号：
IRFD210-ND
别名：*IRFD210
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 700mA（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9110
仓库库存编号：
IRFD9110-ND
别名：*IRFD9110
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9120
仓库库存编号：
IRFD9120-ND
别名：*IRFD9120
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 200V 6.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9630
仓库库存编号：
IRF9630-ND
别名：*IRF9630
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF610
仓库库存编号：
IRF610-ND
别名：*IRF610
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF530
仓库库存编号：
IRF530IR-ND
别名：*IRF530
IRF530IR
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF620
仓库库存编号：
IRF620IR-ND
别名：*IRF620
IRF620IR
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF730
仓库库存编号：
IRF730IR-ND
别名：*IRF730
IRF730IR
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
364
365
366
367
368
369
370
371
372
373
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
