产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(14495)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(14495)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(538)
Diodes Incorporated(673)
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1342)
Infineon Technologies(4378)
IXYS(1103)
IXYS Integrated Circuits Division(5)
Micro Commercial Co(18)
Microchip Technology(141)
Microsemi Corporation(204)
Nexperia USA Inc.(591)
NXP USA Inc.(247)
ON Semiconductor(1298)
Panasonic Electronic Components(31)
Renesas Electronics America(232)
Rohm Semiconductor(263)
Sanken(85)
STMicroelectronics(588)
Taiwan Semiconductor Corporation(268)
Texas Instruments(99)
Torex Semiconductor Ltd(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(304)
Vishay Semiconductor Diodes Division(9)
Vishay Siliconix(2072)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 75V 90A(Tc) 470W(Tc) TO-247AC
型号:
AUIRFP2907
仓库库存编号:
AUIRFP2907-ND
别名:SP001516710
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 162W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R060C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R060C7XKSA1-ND
别名:SP001385020
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 162W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R060C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R060C7XKSA1-ND
别名:SP001385028
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 33A(Tc) 171W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R065C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW65R065C7XKSA1-ND
别名:SP001080116
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 650V 33A(Tc) 171W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ65R065C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ65R065C7XKSA1-ND
别名:SP001080120
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 34.1A(Tc) 313W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW35N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW35N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000065487
SPW35N60CFD
SPW35N60CFD-ND
SPW35N60CFDIN
SPW35N60CFDIN-ND
SPW35N60CFDX
SPW35N60CFDXK
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 50A(Tc) 227W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R040C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R040C7ATMA1-ND
别名:SP001277610
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 50A(Tc) 313W(Tc) TO-247AC
型号:
IRF300P227
仓库库存编号:
IRF300P227-ND
别名:SP001582356
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 313W(Tc) TO-247AC
型号:
IRF200P223
仓库库存编号:
IRF200P223-ND
别名:SP001582440
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 18A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R045C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R045C7XKSA1-ND
别名:SP001080092
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 69A(Tc) 313W(Tc) TO-247AC
型号:
IRF250P225
仓库库存编号:
IRF250P225-ND
别名:SP001582436
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 77.5A(Tc) 481W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R041P6FKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R041P6FKSA1-ND
别名:SP001313878
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 75A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 75A(Tc) 391W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R028G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R028G7XTMA1-ND
别名:SP001579312
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 46A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 46A(Tc) 417W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW47N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW47N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000065376
SPW47N60CFD
SPW47N60CFD-ND
SPW47N60CFDIN
SPW47N60CFDIN-ND
SPW47N60CFDX
SPW47N60CFDXK
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 47A(Tc) 415W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW47N65C3FKSA1
仓库库存编号:
SPW47N65C3FKSA1-ND
别名:SP000274751
SPW47N65C3
SPW47N65C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R045CPAFKSA1
仓库库存编号:
IPW60R045CPAFKSA1-ND
别名:SP000539772
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 182A(Tc) 556W(Tc) TO-247AC
型号:
IRF200P222
仓库库存编号:
IRF200P222-ND
别名:SP001582092
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 96A(Tc) 313W(Tc) TO-247AC
型号:
IRF250P224
仓库库存编号:
IRF250P224-ND
别名:SP001582438
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 650V 75A(Tc) 446W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ65R019C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ65R019C7XKSA1-ND
别名:SP001024002
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20NF06
仓库库存编号:
497-4374-5-ND
别名:497-4374-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 38A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
STB45NF06
仓库库存编号:
497-5731-1-ND
别名:497-5731-1
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 33A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 33A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP250
仓库库存编号:
497-2639-5-ND
别名:497-2639-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
STW60NE10
仓库库存编号:
497-2643-5-ND
别名:497-2643-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 50A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
STP50NE10
仓库库存编号:
497-2644-5-ND
别名:497-2644-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 12A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 12A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12PF06
仓库库存编号:
497-2721-5-ND
别名:497-2721-5
产品分类:分立半导体产品,规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
355
356
357
358
359
360
361
362
363
364
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号