以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 38A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
  
  型号：AUIRFP4409
  仓库库存编号：AUIRFP4409-ND
  别名：SP001518024
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R150CFDAFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R150CFDAFKSA1-ND
  别名：SP000928274
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 75V 195A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 195A（Tc） 517W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP7718PBF
  仓库库存编号：IRFP7718PBF-ND
  别名：SP001571038
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI110N20N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI110N20N3GAKSA1-ND
  别名：IPI110N20N3 G
  IPI110N20N3 G-ND
  IPI110N20N3G
  SP000714304
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 44A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB407N30NATMA1
  仓库库存编号：IPB407N30NATMA1-ND
  别名：SP001273344
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI200N25N3 G
  仓库库存编号：IPI200N25N3 G-ND
  别名：IPI200N25N3G
  IPI200N25N3GAKSA1
  SP000714308
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R060C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R060C7ATMA1-ND
  别名：SP001385008
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R099CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI60R099CPXKSA1-ND
  别名：IPI60R099CP
  IPI60R099CP-ND
  IPI60R099CPAKSA1
  SP000297356
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R099CPAAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R099CPAAKSA1-ND
  别名：IPI60R099CPA
  IPI60R099CPA-ND
  SP000315454
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099CPAAKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099CPAAKSA1-ND
  别名：IPP60R099CPA
  IPP60R099CPA-ND
  SP000315418
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-4
  详细描述：通孔 P 沟道 600V 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R099P6FKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R099P6FKSA1-ND
  别名：SP001313882
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 350A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 380W（Tc） TO-247AC
  
  型号：AUIRFP4004
  仓库库存编号：AUIRFP4004-ND
  别名：SP001519614
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 171W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R065C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R065C7ATMA1-ND
  别名：SP001080110
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 21.7A（Tc） 240W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW24N60CFDFKSA1
  仓库库存编号：SPW24N60CFDFKSA1-ND
  别名：SP000264428
  SPW24N60CFD
  SPW24N60CFD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 24V 180A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 24V 180A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD
  
  型号：AUIRFP2602
  仓库库存编号：AUIRFP2602-ND
  别名：SP001522246
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 44A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP410N30NAKSA1
  仓库库存编号：IPP410N30NAKSA1-ND
  别名：SP001082134
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R060C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R060C7XKSA1-ND
  别名：SP001385002
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R060C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R060C7XKSA1-ND
  别名：SP001385014
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 24A（Tc） 128W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ65R095C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ65R095C7XKSA1-ND
  别名：SP001080130
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 53.5A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R070P6FKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R070P6FKSA1-ND
  别名：SP001313880
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080114
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080100
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R110CFDAFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R110CFDAFKSA1-ND
  别名：SP000895236
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 44A（Tc） 245W（Tc） PG-HSOF-8
  
  型号：IPT60R050G7XTMA1
  仓库库存编号：IPT60R050G7XTMA1-ND
  别名：SP001615912
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099CPAFKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099CPAFKSA1-ND
  别名：SP000597860
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
• 
  
  无铅
• 搜索