产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA12N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA12N50C3XKSA1-ND
别名：SP000216322
SPA12N50C3
SPA12N50C3IN
SPA12N50C3IN-ND
SPA12N50C3X
SPA12N50C3XK
SPA12N50C3XTIN
SPA12N50C3XTIN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R299CPAATMA1
仓库库存编号：
IPB60R299CPAATMA1-ND
别名：SP000539970
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 19A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS6535
仓库库存编号：
AUIRFS6535-ND
别名：SP001516136
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB16N50C3
仓库库存编号：
SPB16N50C3INCT-ND
别名：SPB16N50C3INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R310CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R310CFDAATMA1-ND
别名：SP000879440
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3315STRL
仓库库存编号：
AUIRF3315STRL-ND
别名：SP001520192
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3407ZPBF
仓库库存编号：
IRFB3407ZPBF-ND
别名：SP001560202
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N08S404AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N08S404AKSA1-ND
别名：SP000989096
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 77W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R185C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R185C7AUMA1-ND
别名：SP001296238
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220FP
型号：
SPA07N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA07N65C3XKSA1-ND
别名：SP000216305
SPA07N65C3
SPA07N65C3IN
SPA07N65C3IN-ND
SPA07N65C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S4H1ATMA2
仓库库存编号：
IPB120N06S4H1ATMA2-ND
别名：SP001028782
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R180C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R180C7ATMA1-ND
别名：SP001296224
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R280E6
仓库库存编号：
IPP65R280E6-ND
别名：IPP65R280E6XKSA1
SP000795268
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R280C6XKSA1-ND
别名：IPP65R280C6
IPP65R280C6-ND
SP000785058
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N06S402AKSA2
仓库库存编号：
IPI120N06S402AKSA2-ND
别名：SP001028778
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB042N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名：IPB042N10N3 G E8187
IPB042N10N3 G E8187-ND
IPB042N10N3 G E8187TR-ND
SP000939332
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI65R280E6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R280E6XKSA1-ND
别名：SP000795270
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI12N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI12N50C3XKSA1-ND
别名：SP000680996
SPI12N50C3
SPI12N50C3-ND
SPI12N50C3IN
SPI12N50C3IN-ND
SPI12N50C3X
SPI12N50C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS3607TRL
仓库库存编号：
AUIRFS3607TRL-ND
别名：SP001520722
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N06S402AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N06S402AKSA1-ND
别名：IPI120N06S4-02
IPI120N06S4-02-ND
SP000415622
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1503PBF
仓库库存编号：
IRF1503PBF-ND
别名：*IRF1503PBF
SP001561384
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 290W（Tc） D2PAK
型号：
IRF2903ZSTRLP
仓库库存编号：
IRF2903ZSTRLPCT-ND
别名：IRF2903ZSTRLPCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 32W（Tc） TO-220 整包
型号：
IPA65R280C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R280C6XKSA1-ND
别名：IPA65R280C6
IPA65R280C6-ND
SP000720898
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 16.6A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R210CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R210CFDAUMA1-ND
别名：SP000949256
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 160A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N08S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N08S403ATMA1-ND
别名：SP000989092
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